看了楼主的仿真结果，我想说的是，如果想改变时间常数，只改变C1即可。R3改成47M实际上是加大了时间常数，因此应该保留原来的值并把C1加大到1uF。
3.677V距离4.2V差得多，那是因为电流太小了，Vbe在nA级的电流下有300mV多也很正常，参考二极管正向压降公式。
至于1.46V，我不知道楼主是如何得到的，按理说电流很小，不到1V才对。
记得前面有人回复过，这个电路有点像可控硅的模拟电路，的确差不多，另外也很像单结管。而这种用三极管模拟可控硅和单结管的方式，最麻烦的问题是维持电流太小，因为三极管在极小的电流下放大倍数仍然能大于1，因此关断不了。不知道楼主仿真时选的两个PNP管子是什么型号的？
另外，充电部分的曲线是凸的而不是凹的。 |
楼主
