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[经验知识]

硬件工程师的情怀-福禄克万用表维修

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楼主: gx_huang
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21楼
xukun977| | 2020-3-31 21:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
本帖最后由 xukun977 于 2020-3-31 21:56 编辑
lfc315 发表于 2020-3-31 17:55
最怕的是父老乡亲，看你会修，把一些几十年前的古董拿过来给你修，一拆就散架，或者元件都找不到合适的换 ...


过流保护，最基本的一种，加检流电阻：







第二大类方法，比上面那种精确多了，它不是直接限制电流，而是用反馈电路来控制电流的极限，下图叫无需电阻的电压-电流转换器！！









分立件设计和IC设计，基本思想是一致的，实现方法不同罢了----IC里拼命使用不值钱的管子，分立设计尽可能少用有源器件。


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22楼
叶春勇| | 2020-4-1 08:05 | 只看该作者
lfc315 发表于 2020-3-31 16:45
前辈，看你经验非常丰富啊，能不能露一手；
有个帖子求电流保护电路，能不能设计个低成本又可靠的出来：
...

这个芯片用过吗？

改成这样



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23楼
叶春勇| | 2020-4-1 09:16 | 只看该作者
king5555 发表于 2020-4-1 08:17
弄个有类似SCR锁住就可以了。


这个芯片是量产芯片，价格低廉，就是两个mos贵点，不过也可以接受。

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24楼
xukun977| | 2020-4-1 09:50 | 只看该作者


多MOS，多3毛钱，确实可以接受：





但可惜锂电保护的电压范围不符合要求。







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25楼
lfc315| | 2020-4-1 09:55 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-4-1 08:05
这个芯片用过吗？

改成这样

打算做什么用途呢？
电路我看着没什么问题，只是不是共地的，好像可以应用的场合比较少。

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26楼
xukun977| | 2020-4-1 10:05 | 只看该作者


DW01的实际电路板:


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27楼
叶春勇| | 2020-4-1 10:10 | 只看该作者
lfc315 发表于 2020-4-1 09:55
打算做什么用途呢？
电路我看着没什么问题，只是不是共地的，好像可以应用的场合比较少。 ...

电流保护，过压保护都有。

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28楼
lfc315| | 2020-4-1 10:21 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-4-1 10:10
电流保护，过压保护都有。

好像电压只能用在10V以下？
过流没得调节阀值，印象里是靠选MOS管的导通电阻来控制过流值的。

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29楼
叶春勇| | 2020-4-1 10:24 | 只看该作者
lfc315 发表于 2020-4-1 09:55
打算做什么用途呢？
电路我看着没什么问题，只是不是共地的，好像可以应用的场合比较少。 ...


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30楼
gx_huang|  楼主 | 2020-4-1 10:29 | 只看该作者
锂电池保护电路，已经极大批量的产品，直接用现成的成本最低。
用2个MOS，那是必须的，充电放电双向保护，必须2个NMOS背靠背串联。

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31楼
lfc315| | 2020-4-1 10:30 | 只看该作者
xukun977 发表于 2020-3-31 21:55
过流保护，最基本的一种，加检流电阻：

原理大致明白了，就是想看看有什么巧妙些的电路，成本、性能都优秀的

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32楼
lfc315| | 2020-4-1 10:35 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-4-1 10:24

VIN+不能太高呀？看芯片手册耐压12V左右，M1在过压关断之后，BATT-端电压是跟VIN+一样的。

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33楼
叶春勇| | 2020-4-1 10:57 | 只看该作者
lfc315 发表于 2020-4-1 10:35
VIN+不能太高呀？看芯片手册耐压12V左右，M1在过压关断之后，BATT-端电压是跟VIN+一样的。 ...

真正的地，在gnd那里。
m1和m2关断了是断路，Vin+和bat-，电流为0，电压接近相等。m1和m2承受耐压。
应该是CS脚要采取措施，不过芯片内部有esd，电阻搞大点应该没事。



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lfc315 2020-4-1 11:12 回复TA
芯片耗电那么小，T1都可以不用了，R1 R2分压都够了。 
34楼
lfc315| | 2020-4-1 11:01 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-4-1 10:57
真正的地，在gnd那里。
m1和m2关断了是断路，Vin+和bat-，电流为0，电压接近相等。m1和m2承受耐压。
应该 ...

像你这么说，应该在VCC和GND之间加个稳压二极管钳位。

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35楼
lfc315| | 2020-4-1 11:07 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-4-1 10:24

要是能改一下，把NMOS管换PMOS管，放在电源端控制，可以应用的地方就很多了。

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36楼
叶春勇| | 2020-4-1 11:07 | 只看该作者
lfc315 发表于 2020-4-1 11:01
像你这么说，应该在VCC和GND之间加个稳压二极管钳位。

CS4脚的基准电压是150mv
4A的电流=150/4=37.5毫欧。两个mos管每个18.75毫欧，这种没采样电阻的电流保护，精度不高。

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37楼
lfc315| | 2020-4-1 11:10 | 只看该作者
叶春勇 发表于 2020-4-1 10:57
真正的地，在gnd那里。
m1和m2关断了是断路，Vin+和bat-，电流为0，电压接近相等。m1和m2承受耐压。
应该 ...

CS端（VM），按手册里面应该是对VCC接二极管钳位的。

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38楼
叶春勇| | 2020-4-1 11:17 | 只看该作者
lfc315 发表于 2020-4-1 11:07
要是能改一下，把NMOS管换PMOS管，放在电源端控制，可以应用的地方就很多了。 ...

高电平的找过了，有那种mos驱动芯片，把nmos变成高电平的开关用的（非pwm），外置取样电阻的。

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39楼
叶春勇| | 2020-4-1 11:25 | 只看该作者
lfc315 发表于 2020-4-1 11:10
CS端（VM），按手册里面应该是对VCC接二极管钳位的。


这种就是高电平，带短路保护的。不过nmos是外置的，电流很大的。

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lfc315 2020-4-1 12:21 回复TA
这种芯片性能好电路简单，就是成本高 
40楼
gx_huang|  楼主 | 2020-4-1 11:29 | 只看该作者
普通锂电池保护，选择NMOS有原因的，NMOS便宜性能好

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lfc315 2020-4-1 12:26 回复TA
嗯，只是要共地就不好用NMOS 
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