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stm32&fpga 设计运动控制卡

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楼主: 東南博士
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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 21:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 21:58 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:03 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:11 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:14 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:15 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:16 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:21 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:25 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:26 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:27 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:33 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:34 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:35 | 只看该作者


    图3.19所示为MOS管高速输出电路,MOS管SI4401为P沟道,漏极源极
之间最大电压为一40V,最小导通栅源电压4.5V,负载电流一8.7A,为保证可靠性,
降低MOS管发热,实际使用时留有较大余量,限制每个高速输出通道最大负载
电流为3A,并在输出端串接3A自恢复保险丝。
    图3.19中GND4由图3.20所示MOS管高速输出电路电源产生,SL+和SM
间由外部输入24V直流电源,SM经过保护电路和滤波电路后输入负压三段稳压
器79M05中,79M05输出端信号GND4为比SL+低SV的负压。
    当输出信号OUTPUTO有效时,光藕导通,光藕输出端OUT2被拉低到GND4 ,
PNP放大三极管导通,MOS管栅极电位被拉到GND4与源极电位SL+之间产生
-SV的电压差,MOS导通,Output 00相对SM输出24V电压。

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:37 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:37 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:41 | 只看该作者

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:41 | 只看该作者
一起学习学习!感觉这个设计 真的非常的棒!!!

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東南博士|  楼主 | 2020-4-13 22:42 | 只看该作者

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