关于双T陷波电路的分析设计...

发表于 2020-5-11 09:33

有网友谈到了双T陷波，见下帖：

双T陷波电路用二端口网络分析法
https://bbs.21ic.com/icview-2954042-1-1.html

其中论及了早前的一个帖子：

关于双T陷波的设计....
https://bbs.21ic.com/icview-1604386-1-1.html

网友主要考虑的是“端口理论”，却未论及其中的设计理念。在此，将就早前的那个帖子再简述一下其中的设计思路。

登录 · 发表于 2020-5-11 09:37

先看看早前那个双T陷波帖子中的无源双T原理图及其相关解：

发表于 2020-5-11 09:40

注意上述解法采用的是最基本的节点电压法。通常，三个未知节点电压以下（含三个）就可以方便地计算。当然大于三个同样可以计算，但稍显复杂了些。

这里，还未考虑什么“端口网络理论”。

登录 · 发表于 2020-5-11 09:46

具体解为：

从分析角度来看，做到这步足矣。

登录 · 发表于 2020-5-11 09:48

但是，这里要考虑的是陷波器，自然必须先把这个三阶网络退化成一个“二阶”网络（中和掉其中的一个零点和极点）。具体见下面：

发表于 2020-5-11 09:50

注意上面的红字部分，这就是三阶退化成“二阶”的器件参数条件。

登录 · 发表于 2020-5-11 09:52

从这个退化的“二阶”形式，已经可以判定其就是个陷波器。具体再对照二阶滤波器的几个标准形式如下：

登录 · 发表于 2020-5-11 09:58

注意上面的二阶带阻滤波器，在此就是陷波器。

至此，还可以对器件参数作一定的简化限定如下：

登录 · 发表于 2020-5-11 10:02

上面，涉及到了两个主要设计指标，分别是陷波中心频率和Q值。

注意其Q值与器件参数的关系，这里给张图：

登录 · 发表于 2020-5-11 10:06

上图反映了Q值与器件的关系，其中最大值为1/4。那么，直接就定Q=1/4，得进一步简化设计如下：

登录 · 发表于 2020-5-11 10:10

显然，采用无源双T陷波器其Q值相当有限。如果想得到更高Q值的陷波器，那么就得选择有源双T陷波器，具体见下面：

发表于 2020-5-11 10:19

这里，大致可以看到了分析与设计的关系。

分析，就是给定一个东西（可以是实体或模型），然后分析计算其各种特性参数。

设计，则是由给定的技术指标（含成本因素），确定一个合适的东西（实体或模型）。这里，在确定了一个“东西”后，必须对其进行分析计算，过程如同前面的分析。

由此可见，设计绝对离不开分析，分析是设计的基础。

发表于 2020-5-11 10:24

在早前的那个帖子里，有那么一句话在此引出：

此例说明，作为一个设计工程师，如若不能分析那根本就别扯什么设计。分析能力是最为基本的要求，在此基础上才可能设计！

发表于 2020-5-11 15:22

这个贴质量很高，有分析，有设计。受益匪浅。

登录 · 发表于 2020-5-11 16:39

R3 C3计算过程：
如hwm提示：需降阶，带阻滤波器

算出来的传递函数：

登录 · 发表于 2020-5-11 16:40

从分子确定m和n直接的关系：

登录 · 发表于 2020-5-11 16:41

本帖最后由叶春勇于 2020-5-11 16:52 编辑

把n=4m带入：

登录 · 发表于 2020-5-11 16:48

大致过程如此

发表于 2020-5-11 16:50

不知道HWM，你的R3和C3的推导过程是啥呀。笔记给我看看。
我这个好复杂呀。

关于双T陷波电路的分析设计...

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