3.3V 12V电平转换

只看该作者 · 2020-6-4 14:14

3.3V和12V电平转换，看很多人用的都是图1，图2不是更容易工作在饱和区域吗？老师，解释一下，多谢

1万 · 2020-6-4 14:33

3.3V转12V电平，用图1。12V转3.3V电平，用图2。有啥奇怪的？

只看该作者 · 2020-6-4 14:37

xmar 发表于 2020-6-4 14:33
3.3V转12V电平，用图1。12V转3.3V电平，用图2。有啥奇怪的？

图1，没法工作在饱和状态吧？

1万 · 2020-6-4 16:09

本帖最后由 xmar 于 2020-6-4 16:20 编辑

windzhanglei 发表于 2020-6-4 14:37
图1，没法工作在饱和状态吧？

Q2可以饱和。输出低电平。仿真看看就知道了：R4小于13K，输入高电平，Q2就饱和。

只看该作者 · 2020-6-5 10:15

xmar 发表于 2020-6-4 16:09
Q2可以饱和。输出低电平。仿真看看就知道了：R4小于13K，输入高电平，Q2就饱和。 ...

谢谢大家，下面这个解释我一看就懂了，哈哈
饱和的条件： 1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。

影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和；2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小；

饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）

谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。

只看该作者 · 2020-6-5 11:07

几个IO口，我们一般用NMOS管，G接3.3V，S接单片机IO口，S是外部的输入输出，如果外部认12V逻辑的话加个12V上拉电阻，输入0～24V都可以，取决于MOS耐压。输入单片机是高电平的时候只有2.8V左右记住

只看该作者 · 2020-6-5 11:08

D接外部输入输出，追加

只看该作者 · 2020-6-6 16:11

一事无成就是我发表于 2020-6-5 11:08
D接外部输入输出，追加

没明白？哈哈

只看该作者 · 2020-6-7 10:04

做个计算，大家就明白了：
在三极管集电极的工作电流比较小的时候。饱和压降是比较小的，计算时可以忽略。
图一的三极管饱和时的集电极电流是Ic=VDD/R6=12mA，假定三极管的放大倍数是50，则基极电流Ib=Ic/50=0.24mA，就是说3.3V驱动侧至少给基极提供0.24mA的电流，三极管才能够饱和，实际的基极电流为（VCC-0.7）/R4-0.7/R5=1.3-0.07=1.23mA>0.24mA，三极管能够饱和。
图二也可以按照上述方法进行估算

3.3V 12V电平转换

相关下载

相关帖子

无冕之王奖章

奔腾之江水

十世金身

技术领袖奖章