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大家看看这个模拟开关CD4066的电路可行吗：

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 楼主| 457878 发表于 2009-5-1 17:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
电路, 模拟开关, CD, 控制, 电压
Vcc=3.3V ，想控制+4.2V的通断，用于检测锂电池电压，怀疑+4.2V会串入3.3V电路......
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oufuqiang 发表于 2009-5-1 18:40 | 显示全部楼层

不可以,不能超过电源电压+0.5

  
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-1 19:15 | 显示全部楼层

呵呵，真的不行啊...

谢谢oufuqiang，找了半天，终于在Datasheet第2页找到了描述：Signal-level&nbsp;range:&nbsp;VSS---VDD<br /><br />本想用这个省事儿，谁料不行，考虑到功耗及检测精度，只有用场效应管来做了，谁有用过耗尽型的场效应管，推荐个型号？<br />
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awey 发表于 2009-5-1 19:24 | 显示全部楼层

用耗尽型的场效应管？

增强型才可以。<br /><br />如果仅仅是检测电压，可以将4.2V先分压，再过模拟开关。
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-1 23:56 | 显示全部楼层

都是为了低功耗考虑....

MCU的Vcc=3.3V&nbsp;，想控制+4.2V的通断，用于检测锂电池电压，要特别小的功耗(uA级的)<br /><br />想了一下，列出6种办法，如图所示，六种办法中1，2两种，因为要提供高于3.3V的控制电压，不太可行。所以away说的用增强型场效应管行不通.<br />第6种：直接分压进入AD.&nbsp;这样可能导致引脚复用的IO进入临界放大状态，致使电流距增.曾经遇到过这种情况，电流在mA级！所以对于引脚复用的IO这种也是不行的。<br /><br />第3种：需要提供较大的瞬间驱动电流，如果检测时间足够短，也是可以的，但晶体管本身会有较大压降，检测精度受到影响<br />第4种：应该算是比较完美的办法（对场效应管不太了解，只是按晶体管思路的构想，具体能不能行还不清楚）<br />第5种：如away所说，直接分压进模拟开关，信号电压低于2.1V，是可以的，只是电流消耗有点大:21uA.<br />再增加一种：模拟开关或门电路的Vcc接到4.2V回路,控制端可以接受的Vih在2.4V左右，3.3V的输入可以满足控制需要<br /><br />以上是我的看法，欢迎补充...<br /><br />另外谁能确认下用两个场效应管的情况能否正常工作？<br />
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dragon_hn 发表于 2009-5-2 09:22 | 显示全部楼层

好像没有一个电路可行吧

好像没有一个电路可行吧
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-2 09:30 | 显示全部楼层

?

  
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awey 发表于 2009-5-2 09:53 | 显示全部楼层

楼主没搞清耗尽型和增强型，PMOS和NMOS的概念

  
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红心j 发表于 2009-5-2 10:04 | 显示全部楼层

用5V电源系统比较方便，没必要自找麻烦

如果一定用3.3V系统，可以考虑先降低输入信号的幅度，这不会影响后期模拟量的检测
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-2 10:24 | 显示全部楼层

不会吧，我用过2N7002,和FDV303

2N7002,和FDV303都是增强型的啊，Vgs必须在(min&nbsp;=&nbsp;0.8V,typ&nbsp;=&nbsp;2.1V)以上，就是说，Vg必须比Vs&nbsp;高出0.8V,才可以正常工作。要通断4.2V的信号，必须要高于4.2V的电压，到那里去找高于4.2V的电压?&nbsp;除非用DC-DC升压，这样一来，功耗就不能控制了，所以away说用增强型的？有问题....<br /><br />图画错了，是Vcontrol是4.2+2.1V，不是3.3+2.1V,已更正...<br />
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lyjian 发表于 2009-5-2 10:32 | 显示全部楼层

不会用P型的吗

直接分压你不会用大点的电阻吗，为什么非得用100K电阻？<br />
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-2 10:47 | 显示全部楼层

P沟道增强型？

N沟道增强型？<br />P沟道耗尽型？<br />P沟道耗尽型？<br />P沟道增强型？<br /><br />面壁去了,十年之后再来.....
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-10 21:51 | 显示全部楼层

等不及十年，世事多变，物换星移，我又出山了...

大家看看，这个电路应该没问题了吧...<br /><br />ZXM61P03F：&nbsp;30V&nbsp;P-CHANNEL&nbsp;ENHANCEMENT&nbsp;MODE&nbsp;MOSFET<br />Zero&nbsp;Gate&nbsp;Voltage&nbsp;Drain&nbsp;Current：&nbsp;&nbsp;-1μA&nbsp;&nbsp;（Vds&nbsp;=&nbsp;-30V,&nbsp;Vgs&nbsp;=0V&nbsp;）
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lyjian 发表于 2009-5-10 21:56 | 显示全部楼层

光为了检测一个锂电池电压有没必要这样周折？

  
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-10 22:10 | 显示全部楼层

还不是为了降低功耗和保证检测精度

我也想直接接入4.2V&nbsp;分压，精度能保证了，但不能保证功耗（可不是单纯的21uA(100K&nbsp;*&nbsp;2)哦，那可是mA级的）<br />用三极管压降太大而且不确定，不能保证精度，所以只好这样折腾下了.
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lyjian 发表于 2009-5-10 22:55 | 显示全部楼层

检测静态的电压，分压电阻即使上到几M都没问题

  
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kingshen 发表于 2009-5-10 22:56 | 显示全部楼层

此电路有很大进步，但是你前面的Q2电流好像已经大于21ua了

  
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 楼主| 457878 发表于 2009-5-11 19:43 | 显示全部楼层

Q2是可以关断的，谢谢大家关注，就这么着吧...

  
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