三极管特征频率和开关频率区别

发表于 2020-10-11 10:40

请问两种频率区别是什么？普通的三极管做开关应用，最高大概支持多少频率开关速度？比如NPN3904

发表于 2020-10-11 10:58

开关通常用一定条件下的上升和下降时间表征。

发表于 2020-10-11 11:21

HWM 发表于 2020-10-11 10:58
开关通常用一定条件下的上升和下降时间表征。

NPN9014做开关管，请问能做到频率波形不失真？看规格书没有写，只有特征频率

发表于 2020-10-11 12:09

特征频率是放大倍数为1时的信号频率。

发表于 2020-10-11 22:11

特征频率是电流放大倍数为1时的信号频率，而开关参数则跟外围电路有关系，比如SS8050，如果仅仅是简单的共射应用，B极串个1K电阻就接开关信号，C极上拉一个1K电阻，则饱和很快（几十ns级别），但退出饱和到截止就很慢（us级别）。如果有抗饱和电路，则速度就快得多。

发表于 2020-10-12 07:33

vitohu 发表于 2020-10-11 11:21
NPN9014做开关管，请问能做到频率波形不失真？看规格书没有写，只有特征频率 ...

不失真是不可能的。
你容忍失真的程度决定可以用到什么开关频率。

发表于 2021-7-30 22:50

fM>fα>fT>fβ
fM 是功率放大倍数，其他是电流放大倍数，
放大倍数，fM与fT皆为1 ，fα和fβ 则为标称值的70.71% ，fβ＝(1－α)fα 。

发表于 2021-7-30 23:20

开关管开关通常施加反偏，
所以，开关时间除了发射结的载流子扫除与灌注所需的时间，还有发射结电容的充放电过程。

发表于 2021-7-31 18:15

2SC3355 ，fT是 6.5GHz ，
对于 500MHz 的理想方波而言就是13次谐波，
到了特征率，一切都会受遏制，管它频率或谐波，
存贮效应是BJT的本底素质，其影响不因电路拓扑而异，结电容是寄生参数，拓扑不同，影响有别，
存贮效应介入的频率，比结电容高得多，否则，运行于 fT与fα 之间的共基电路，还能没相移，无失真吗？！。

发表于 2021-7-31 18:37

三极管开关，取态通常是共射，
那么，开关频率的制约因素是甚么，开关速度的元素是只有 tr和tf ，还是包括 fT ？！

登录 · 发表于 2021-7-31 22:27

3904可不是“普通”三极管，人家名字叫NPN switching transistor

里面有开关参数的，你可以逆推出最快开关频率。

9014那种垃圾货色你用于开关的话，会慢到让你怀疑人生的。

发表于 2021-7-31 23:51

三极管是跨导器件，开关速度，不单存贮效应，还有米勒效应的掺和。

发表于 2021-8-1 23:50

α及β 为何会掉，这就牵扯到电流跟载流子流的分别，米勒效应影响的，是电流。

发表于 2021-8-3 23:58

开关频率受限于开关速度

发表于 2021-8-4 23:23

脉冲(开关)频率就是基波频率，
基波频率达到特征频率，还能放多大，
谐波分量虽小，但既然远超特征频率，那就不可能不折损。

登录 · 发表于 2021-8-4 23:23

本帖最后由 hk6108 于 2021-8-7 22:44 编辑

这才是理想方波。

理想方波的谐频次数是无穷高，而当前的电子元器件仍然是非理想的，无限高次谐波再小也没法处理，
这样，理想方波就会出现波沿，顶端有圆角，然后，斜率减小，截止频率愈低，情况就愈严重。

发表于 2021-8-5 07:15

脉冲(开关)频率就是基波频率，
基波频率达到特征频率，还能放多大，
谐波分量虽小，但既然远超特征频率，那就不可能不折损。

发表于 2021-8-5 21:13

本帖最后由 hk6108 于 2021-8-5 21:39 编辑

α ，是 β 的根基，
在 fT ，共射组态的 hFE＝1 ，Ib＝Ic＝Ie/2 ，
但是，切换成共基拓扑，Ic 仍然等(略小)于 Ie ，看，α值还没掉！
甚至超过了 fα ，α 也还没掉，咱们看到的 fβ ，fT，fα ，其实是端子电流的分布(影响因素是寄生参数，结电容)，而不是芯片内电流的配比，
能影响芯片内电流配比的，是厄利效应或电子迁移率，电子迁移率造成的频限颇高，甚至可比存贮效应造成的频限还高。

登录 · 发表于 2021-8-5 22:00

1MHz ，周期时长就是 1000nS ，这 3904 开关的佔空比，已有四份之一被开关时间吃掉。

发表于 2021-8-5 23:00

ts ，storage time ，饱和程度才是先决条件，Ic 的大小只是辅助因素吧？！

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