GD32F103xE的flash读写函数 大佬帮忙看看有没有什么问题

#include "flash_rw.h"

#include "gd32f10x.h"

#include "systick.h"

#define Base_Addr 0x0870f800   //第255页  bank1  大小两Kb

#define EEP_MAX 256     //256字节的存储空间   一方面减轻ram压力  另一方面减少flash操作时间

/***********************************************************************

函  数  名：Flash_Read_HalfWord

功       能：flash半字读取

输入参数：相对地址 0-128

返回参数：读出来的值

说      明：

***********************************************************************/

unsigned short int Flash_Read_HalfWord(unsigned  faddr)

{

        return *(unsigned short int*)(faddr*2+Base_Addr);//返回输入地址中的值

}

/***********************************************************************

函  数  名：Flash_Read

功       能：读取指定长度的数据

输入参数：相对地址 0-128   读取使用的数组 16位   要读取的长度

返回参数：

说      明：

***********************************************************************/

void Flash_Read(unsigned int addr,unsigned short int *redata,unsigned short int renum)

{

          unsigned short int i;

          for(i = 0;i<renum;i++)

          {

                      *(redata+i*2) = Flash_Read_HalfWord(addr+i);//开始读

          }

}

/***********************************************************************

函  数 名：Flash_Write_Byte

功      能：flash半字写

输入参数：相对地址 0-128，16位的数据指针    写入的数量

返回参数：1成功  2地址超出设置范围 

说      明：

***********************************************************************/

unsigned char Flash_Write_Byte(unsigned int uaddr,unsigned short int *data16,unsigned short int datanum)

{

          unsigned short int i; 

          unsigned char Nclear = 0;

          unsigned short int tempdata[EEP_MAX/2];

          if(uaddr>EEP_MAX/2)return 2;//输入超出设置范围

          fmc_unlock();//Flash解锁

          fmc_bank1_unlock();//Flash解锁

          fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);

          fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);

          fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); 

          for(i = 0;i<datanum;i++)

          {

                  if(Flash_Read_HalfWord(uaddr+i)!=0xffff)Nclear = 1;//需要清除flash

          }

          if(Nclear == 1)

          {

                  for(i = 0;i<EEP_MAX/2;i++)//读出数据

                  {

                           tempdata[i]=Flash_Read_HalfWord(uaddr+i);

                  }

                  for(i = 0;i<datanum;i++)

                  {

                           tempdata[uaddr+i] = *(data16+i*2);//写入数据到缓存数组

                  }

                  fmc_page_erase(Base_Addr);

                  for(i = 0;i<EEP_MAX/2;i++)

                 {

                          fmc_halfword_program(Base_Addr+i*2,tempdata[i]);//整个区域写入

                  }

          }

          else

          {

                for(i = 0;i<datanum;i++)

                {

                         fmc_halfword_program(Base_Addr+(uaddr+i)*2,*(data16+i*2));//写入

                }                                

          }

          fmc_bank0_lock();//Flash上锁

          fmc_lock();//Flash上锁

          return 1;

}