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82G516在3.3V下能否实现掉电存参数到内部flash的功能?

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楼主: zhanglli
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LZ需要根据您的系统以及电源部分参照施行。

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hanwe| | 2020-11-3 22:52 | 只看该作者

这个应该是最简单的了吧?

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hanwe| | 2020-11-3 22:57 | 只看该作者

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guoyt| | 2020-11-3 23:01 | 只看该作者
此方案不可靠;除非失败的后果影响不大;

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guoyt| | 2020-11-3 23:14 | 只看该作者
重要的数据要实时保存;无论是否掉电;

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zhuww| | 2020-11-3 23:19 | 只看该作者
供电要有比较大的电容,这样掉电下降的没那么快。检测掉电应该测试电源入口。
比如你5V转3.3V的供电,你测试5V输入低于4V就开始做掉电处理了。这时候你的3.3V芯片还能工作一下子。

耗电的东西不要与主控芯片电路共电源。

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wangzsa| | 2020-11-3 23:23 | 只看该作者
MCU内部的flash写入次数是有寿命的, 以82G516的规格来说是2万次, 假如经常有资料要写入是要考虑寿命问题.

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zhanglli|  楼主 | 2020-11-3 23:28 | 只看该作者
好的,我明天去单位试一下,多谢各位大侠了哈

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串联烧烤| | 2020-11-7 22:37 | 只看该作者
没太了解过这个 理论上应该是可以的吧

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