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较真时刻----二极管恢复时间测量

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楼主: xukun977
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cool_coder| | 2020-12-19 11:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
不错,我喜欢爱较真的人,这样的辩论挺不错,就是气氛不太好,以后大家都 TM 装的优雅点就更好了。

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Siderlee| | 2020-12-19 11:52 | 只看该作者
xukun977 发表于 2020-12-17 18:05
鉴于论坛上不少都是电子爱好者,而非专业电工,有的都快80岁了,在家养老,闲着没事来论坛打发时间的。
...

这个图有意思

MOSFET开通波形,看样子是普通的Si MOSFET

这个测试的关键是测试方法和仪器的正确使用,需要在延时上做补偿才能够准确的测量

测试SiC 和GaN更是

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hk6108| | 2020-12-19 16:57 | 只看该作者
实践验证真理+真理愈较愈明=理论实践相济→改革整顿提高

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hk6108| | 2020-12-19 17:08 | 只看该作者
xukun977 发表于 2020-12-18 10:46
这样玩,就是杠精了。

人家说某某典型值,意思是大多数情况都如此,并非是全部。

这个不难理解,不管生物死物 都有个体差异,有些物种的个体差异还颇大。

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hk6108| | 2020-12-19 17:19 | 只看该作者
shalixi 发表于 2020-12-18 10:48
随便什么东西,转换过程都需要时间,知道了就行。

现在人家要较的真:
不单是转换需时的久暂,更是 转换的方式,及转换过程中 发生了些甚么事,这些事  影不影响使用。

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hk6108| | 2020-12-19 17:50 | 只看该作者
ELECTRODUMMY 发表于 2020-12-18 10:39
哈哈,正弦波电流缓缓降到0?没有存储电荷??不管方波还是正弦波,存储少子电荷该是取决于正向导通电流的 ...

所以我提出 过零接入 这个实验方案。

反向恢复时间的定义: 开关从导通状态向截止状态转变时,二极管或整流器在阻断反向电流之前需要首先释放 存储的电荷,这个时间 称为 反向恢复时间,英文简称 trr 。   
这定义,光提出现像,没触及本质,载流子,结电容,这 trr 究竟是谁搞的鬼(抑或两者皆有)?!

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hk6108| | 2020-12-19 18:09 | 只看该作者
网上资讯艺伪难辨,课本教材又如何,课本是入门的起点,课本是否十全十美,老师的传承是否无懈可击,这些真,谁较去?!

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shalixi| | 2020-12-19 18:57 | 只看该作者
hk6108 发表于 2020-12-19 17:19
现在人家要较的真:
不单是转换需时的久暂,更是 转换的方式,及转换过程中 发生了些甚么事,这些事  影 ...

有了这个前提,你可以按照Datasheet 去选用了,至于这个时间有什么原因产生的,作用有多大,那是后面的事,较真对的,较真也要花功夫的,什么事都较真,那你的事慢了,搞产品最怕的是这个。就是说不能什么都很清楚,什么都没有问题。

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andyxly| | 2020-12-19 22:12 | 只看该作者
号称没有反射恢复时间的碳化硅,实际 上也是有恢复时间的,更别说肖特基这样的上世纪的元件

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Lgz2006| | 2020-12-20 09:47 | 只看该作者
hk6108 发表于 2020-12-19 17:50
所以我提出 过零接入 这个实验方案。

反向恢复时间的定义: 开关从导通状态向截止状态转变时,二极管或 ...

他们讨论一大阵子,其实在反恢的物理概念,及其定义初心,还有产生的规定测试方法,都没较出真儿来。至于随着器件不断创新,测试延迟与物理反恢关系如何确定,以及独立公司手册有否借用旧有指标名称,国际电工协会有否统一协调,等,也没较出真儿来。

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不奇怪 2020-12-20 12:09 回复TA
他们只是在较劲,不是较真。他们能提出一个可行的验证方案就不错了。历史上,他们讨论过的问题都没有结果。 
captzs 2020-12-20 11:04 回复TA
二极管产生反向电压的原因有几个,但是根本原因的一个,与输入信号的频率、幅度无关。其它原因是基于此产生的,与频率幅度负载有关。有的二极管反向电压小到可以忽略。那些连莎士比亚都自叹不如的帖不看也罢。 
captzs 2020-12-20 10:50 回复TA
我也没有看到反向电压是如何产生的帖? 
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xukun977|  楼主 | 2020-12-20 10:10 | 只看该作者
本帖最后由 xukun977 于 2020-12-20 10:12 编辑
Lgz2006 发表于 2020-12-20 09:47
他们讨论一大阵子,其实在反恢的物理概念,及其定义初心,还有产生的规定测试方法,都没较出真儿来。至于 ...

你说的这些东西,老5贴出的书籍照片上,全都有了。不但是模电书,半导体器件商家notes上,也到处都是相关介绍,快烂大街了。

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hk6108| | 2020-12-24 13:56 | 只看该作者
ELECTRODUMMY 发表于 2020-12-18 10:39
哈哈,正弦波电流缓缓降到0?没有存储电荷??不管方波还是正弦波,存储少子电荷该是取决于正向导通电流的 ...

反向恢复时间,
有说是反向 恢复 电流由开始至终结的时间,
有说是 储积于结区的载流子 消失 所需的时间,
至于正弦波问题,按这说法,储积于结区的载流子 不会因正向电流的减小而消失,必须施以 反向电压 才能扫荡,是这样吧?

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hk6108| | 2020-12-24 14:09 | 只看该作者
存在就是合理,参数手册既然标注 trr及tfr ,那至少表明这过程真的存在(机理则因结而异),
科学是硬道理,不以人类主观为转移,只能统一认知,对于 反向恢复 现像,咱们究竟只是 忽略,还是 持否定态度抑或根本无知?

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gx_huang| | 2020-12-24 14:23 | 只看该作者
xukun977 发表于 2020-12-17 15:13
较真的地方太多了,从最后一句话开始吧,倒着来。

图片中最后一句,这个网友说肖特基二极管在方波激励下 ...

如果较真的话,麻烦说明一下这个图是如何测试的,如何接线的,测试的是电压还是电流?

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hk6108| | 2020-12-24 15:57 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2020-12-18 10:44
反向恢复时间是指少数载流子存储效应导致的一个载流子寿命导致的值,而肖特基的反向截止确实也需要时间, ...

科学是硬道理,统一认识才是王道,定义没做好,争议永无休止!

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tianxiongweitxw| | 2020-12-24 16:17 | 只看该作者
反向恢复时间应该改个名字,叫垫垒放电时间,这样好理解一点,并不并不存在二极管会反向导通一小段时间,但电流又确实会反向一小段时间

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hk6108| | 2020-12-24 16:22 | 只看该作者
xukun977 发表于 2020-12-17 15:27
图片中倒数第二段所说的意思,和下面的完全相同:

根据这图(左下角)所示,MOSFET 寄生二极管导致的损耗,软开关也未能解决,
所以,我见到並联 肖特基二极管 的做法,肖管的正向压降远低于那个寄生二极管(名为  体二极管),把这个 **肋 永远旁路,纵然漏电较大,也至少不给MOSFET添麻烦。

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hk6108| | 2020-12-24 18:02 | 只看该作者
xukun977 发表于 2020-12-17 18:05
鉴于论坛上不少都是电子爱好者,而非专业电工,有的都快80岁了,在家养老,闲着没事来论坛打发时间的。
...

这个 寄生二极管,有名 体二极管,功能性质是 逆导二极管,
不过,这二极管似乎很 **肋,通常会以 肖特基二极管 跟功率开关管並联,使这寄生二极管遭到搁置而失效,
但是,对于串联型推挽拓扑(比如 半桥),如果开关的切换不设 死区,即使两个开关管可刚好不直通,但那  体二极管龟速的反向恢复也会导致 逆变颠覆!

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hk6108| | 2020-12-24 21:30 | 只看该作者
这帖子既然是抓住肖特基 来吐槽的,那干脆定为 关于肖特基二极管的反向恢复 专题好了!

http://www.igbt8.com/jc/372.html
┉┉原则上,SBD不存在反向恢复时间,然而,由于其容量成分较大,看起来好像有同样的反向恢复时间特性,
反向恢复时间的长短可以看作与速度最快的高速二极管基本相同。
SBD和FRD的区别 像上述说明那样,SBD和FRD的芯片结构不同,因此工作原理也不同,
但是,SBD的耐压结构所采用的护圈是PN二极管,并且某些SBD的芯片上集成有FRD (?!),换而言之,大多数 SBD兼有FRD的特性,因此在下述的说明中不区分SBD和FRD,200V左右是区分SBD和FRD的界限,低于200V的是SBD,高于200V的是FRD┉┉

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