接感性负载时MOS管发热的问题

只看该作者 · 2021-1-8 17:32

123654789 发表于 2021-1-8 16:52
电路有错误

请问错在哪里呢？

4万 · 2021-1-8 18:05

去掉C34 和R82

4万 · 2021-1-8 18:07

本帖最后由 123654789 于 2021-1-8 18:08 编辑

你增加C34 ，起不是C34通过MOS放电？

只看该作者 · 2021-1-8 20:00

本帖最后由 wtu224 于 2021-1-8 20:03 编辑

我把电压提到300多V时测出的波形：G极转为低电平时，D极电压升到300V，有个斜坡升到325V，这是去掉C34后的波形，温升没变化。

1万 · 2021-1-9 17:43

wtu224 发表于 2021-1-8 20:00
我把电压提到300多V时测出的波形：G极转为低电平时，D极电压升到300V，有个斜坡升到325V，这是去掉C34后的 ...

感性负载真大。。。。

看样子是关断的时候感性负载给MOSFET 寄生电容充电的时间很长。。。。。

另外门级的信号如果你的测试没有问题，驱动能力不足

只看该作者 · 2021-1-9 19:46

wh6ic 发表于 2021-1-8 11:35
感载差不多要 3uS 才关断，会不会 FR107 已经完蛋了？换尺寸大一些的 FR307，并联两粒。
灯载关断也偏 ...

MOS驱动现在用的是IR2101，是否驱动能力不足？

4万 · 2021-1-9 21:34

把占空比减少，并且把频率降低，看看效果如何。

4万 · 2021-1-9 21:37

另外，你的电机参数如何

4万 · 2021-1-9 21:43

减少占空比可能会导致功率变小，
然后用降低频率来弥补功率的变小。

4万 · 2021-1-9 22:07

第一步骤
把占空比减少，

第二步骤
降低开关频率，

第三步骤
G极有振铃，
在D极串联电感，
在负载两端并电容
降低 di/dt

如果上面的三种方法都试验了，
还是发热，

第四步骤，
换拓扑结构，
用双管齐激，
每个管承受VCC/2的电压

4万 · 2021-1-9 22:08

楼主的电路结构类似电磁炉的电路，
开关损耗发热是必然的。
必要的时候增加散热。

4万 · 2021-1-10 19:29

这种单端拓扑结构，
决定了他的发热量比其他结构(例如全桥，双管)的发热量多一些。

只看该作者 · 2021-1-11 09:46

谢谢大家的解答，
尝试过在输出并电容，G极的振铃看起来变小了，发热量反而变大了，
尝试过用导通电阻较小的MOS管，之前用的是RON=1欧，现在用的是RON=0.2欧的，温度下降了不少，但是还是没有达到要求的温度，
其它方法如去掉RC，调整RC，都无效果，
目前只有降低频率了，

只看该作者 · 2021-1-14 15:39

本帖最后由 zlf1208 于 2021-1-14 15:56 编辑

wtu224 发表于 2021-1-9 19:46
MOS驱动现在用的是IR2101，是否驱动能力不足？

虽说IR2101是MOS管的专用驱动，但是它的驱动能力其实是很小的：

换一个驱动能力大点的试试，下面这个驱动能力大一倍

到立创商城输入 MOS驱动，可以搜到一大堆，选个适合自己的，pin-to-pin的