GD32F130R8T6发现严重BUG

只看该作者 · 2021-1-15 08:16

这个和片上flash特性有关系

只看该作者 · 2021-1-18 13:45

发呆二极管发表于 2021-1-13 10:35
gd的片子慢的flash区也是code区，都能跑程序，只是速度太慢被很多人当成data用了而已。 ...

太对了~ 就是个名字问题

只看该作者 · 2021-1-20 09:28

本帖最后由发呆二极管于 2021-1-20 09:32 编辑

关于gd架构的零等待和非零等待的问题，不是听推广人员说的，而是只要稍微理解点RAM和FLASH的功能和特性的人都能理解的问题。GD文档写的烂，在文档里是找不到的。都是好心帮你解答问题，你却这么抬杠。你没用过这个架构的MCU就认定这个事是“可能性不大”，我说的这个架构明明可以解释前半部分速度快后半部分速度慢的问题，你还在质疑我是不是道听途说，那你找个别的架构理论来解释为什么前半部分速度快后半部分速度慢？还有这些都是我跟原厂的FAQ求证的，爱信不信，不信拉倒，反正以后被打脸和脸疼的不是我。

只看该作者 · 2021-1-20 12:33

哈哈，这个不是bug哈。

只看该作者 · 2021-8-19 07:37

本帖最后由 lesheng002 于 2021-8-19 07:39 编辑

发呆二极管发表于 2021-1-20 09:28
关于gd架构的零等待和非零等待的问题，不是听推广人员说的，而是只要稍微理解点RAM和FLASH的功能和特性的人 ...

新做个项目，选的正好是这个1X0系列的芯片，而且代码达到50多K，照这个说法，那是没的玩了，这什么玩意，一个大公司做的芯片还存在这样的问题，中国人做产品的观念都是被这些大公司带坏的

只看该作者 · 2021-8-19 08:57

xhaity 发表于 2021-1-12 15:07
 高达64KB字节的片上闪存可用于存储指令或数据；
 在闪存的前32K字节空间内，CPU执行指令零等待；
 ...

在官网有啊，，，专门有一个文档讲述这个，，所有的参数都列出来了的

只看该作者 · 2021-8-19 08:58

fcccc 发表于 2021-1-12 18:24
AT32没有这个问题,建议试试

AT32f403有这个问题，，而且时间比gd的延时还大，，跟雅特力工程师确认过了

只看该作者 · 2021-8-19 09:03

lesheng002 发表于 2021-8-19 07:37
新做个项目，选的正好是这个1X0系列的芯片，而且代码达到50多K，照这个说法，那是没的玩了，这什么玩意， ...

官方文档里写的清清楚楚的，只能说你们项目组前期调研就没仔细看，这是选型人员的失职

只看该作者 · 2021-8-19 11:22

多说一句，其实STC也是类似的架构，只不过他们的叫法不同，STC叫法是FLASH程序存储器和EEPROM，前面执行代码的叫做FLASH程序存储器，后面不能执行代码只能放数据的叫做EEPROM，其实都是FLASH，都要先擦除再编程，不同的型号，两部分容量加起来是个常量。区别是FLASH程序存储器小的SRAM缓存更小，价格更便宜。

只看该作者 · 2021-8-20 15:26

本帖最后由 lesheng002 于 2021-9-2 08:49 编辑

sonicll 发表于 2021-8-19 09:03
官方文档里写的清清楚楚的，只能说你们项目组前期调研就没仔细看，这是选型人员的失职 ...

你这说的你好像多厉害，我们小公司来着，没有专职选型人员，其次芯片选型总是参照数据手册来选，不会参照用户手册来选，你应该也不会的，而且前期选型首先考虑是说能否代替ST的芯片，然后看具体芯片手册，也没发现有问题，看截图，没有具体说内部64K FLASH分2部分，另一部分访问速度慢. --不知道怎么上传图片
C:\Users\Administrator\Pictures\memory.png
因此，贵公司就可以埋坑等着别人来踩？

只看该作者 · 2021-9-2 08:54

这种结构的MCU，解决办法采用分散加载，将无关要紧的程序段指定放在访问速度慢的FLASH中，而对时间敏感的程序段则放在访问速度快的FLASH中。关于分散加载部分，可参考下面的帖子
《https://blog.csdn.net/qq_15548761/article/details/119919929》

只看该作者 · 2021-9-2 20:01

以为是多大的事~~~哎

GD32F130R8T6发现严重BUG

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