LMG3525R030是具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET。它的集成驱动可以实现高速的切换频率以及较大的压摆率,这些优势可以为汽车提供更快的充电时间,更高的可靠性以及更低的成本。所以,这些可以在系统长期稳定性、可靠性方面,为汽车解决方案提供很大的优势。 采用TI GaN FET的封装产品,其热阻抗比性能最接近的同类产品还要低23%,因此可使工程师使用更小的散热器,同时简化散热设计。无论应用场景如何,这些新器件均可提供更大的散热设计灵活性,并可选择底部或顶部冷却封装。此外,FET集成的数字温度报告功能还可实现有源电源管理,从而使工程师能在多变的负载和工作条件下优化系统的热性能。 |