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电源开关延迟设计,00,CHUNYANG,XWJ等等高手帮帮看看

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楼主: tqzzj1
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21楼
yezhenyu| | 2007-1-25 16:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览

哦，那就对了，俺没仔细看那是个P沟道。

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22楼
tqzzj1|  楼主 | 2007-1-25 19:40 | 只看该作者

TO:CHUNYANG

确实机械了
菜鸟,见笑了

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23楼
tqzzj1|  楼主 | 2007-1-25 19:42 | 只看该作者

TO:awey

改天我试试看能不能行,你那图好象还不能完全消化
还没有其他什么不基于单稳态触发的啊
多给给思路嘛

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24楼
tqzzj1|  楼主 | 2007-1-25 19:43 | 只看该作者

TO:00

2个电压输出,一个是18V,电流大概是1.5A.一个是10V.电流大概是20A
还有啥好办法吗?

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25楼
computer00| | 2007-1-26 22:27 | 只看该作者

18V,注意一下栅源耐压参数，别把FET给搞挂了~~~~~

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26楼
tomystory| | 2007-1-27 19:55 | 只看该作者

R3和下地电阻的作用

 davidli88 发表于 2007-1-25 12:05 技术交流 ←返回版面    

13楼： 没有这种可能 

yezhenyu 发表于 2007-1-25 10:18 技术交流 ←返回版面    

11楼： 商量：6楼提供的图在开机瞬间Q1的S极有输出电压接进IN 


6楼的图，Q2基极加个电阻下地，可减小对RC时间常数的要求，并且可避免输出端电容未放光时，引起的误触发。 
 


davidli88和各位高手,能不能给解释一下加电阻下地的作用原理，还有R3的作用，谢谢了

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27楼
tqzzj1|  楼主 | 2007-1-29 19:04 | 只看该作者

想听听

想听听,顶一下
好象说的术语不一样

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28楼
wxalex| | 2007-1-30 16:27 | 只看该作者

R3接在Q2基极和GND之间不可以吗？为什么要这样接？

谢谢。

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29楼
wxalex| | 2007-1-30 16:51 | 只看该作者

我看有的电路在Q1的G极串连一个100K的电阻

由于MOS管的输入电阻很大，为什么还要再串连一个100K的电阻呢，不太明白，请帮忙解释一下，谢谢。如图

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30楼
awey| | 2007-1-30 17:25 | 只看该作者

说明一下：

R3的接法：
在Q1导通前，输出电压为0，R3相当于接地，与R4分压，提高Q2导通的门限电压。
在Q1导通有输出，R3是个正反馈，加速Q2的导通，以免输出电压慢慢上升。

computer00提到的问题倒是要注意的，如果MOSFET的GS耐压太低，可以在Q2的集电极上串个电阻，与R2分压，以减小GS间的电压。

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31楼
liudewei| | 2007-1-30 21:26 | 只看该作者

awey，D1作用？该电路在断电很短时间内再上电如何？

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32楼
awey| | 2007-1-30 21:38 | 只看该作者

D1的作用就是在断电时让C1的电尽快放掉

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33楼
lijay| | 2007-1-31 08:39 | 只看该作者

R3的作用

R3做9013基极的下地电阻效果会更好，按图上这么接，有什么作用呢？
按away说的在R3后接一个二极管钳位意义可能也不大吧？

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34楼
wxalex| | 2007-1-31 08:55 | 只看该作者

to awey,

那么如29楼我的贴图那种，再Q1的G极接100K的电阻有什么作用呢？

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35楼
awey| | 2007-1-31 09:05 | 只看该作者

不明白，你问29楼去

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36楼
wxalex| | 2007-1-31 11:15 | 只看该作者

29楼就是我贴的呀，

我在其它图上看到过，但不知为什么这么做。

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37楼
liudewei| | 2007-1-31 13:03 | 只看该作者

d1的作用估计不大，因为它的压降可比三极管的PN结压降不小

还不如在该点并个电阻到地，保证分压只要稍
高于三极管饱和导通时的VBE就行。

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38楼
zjp8683463| | 2007-2-1 16:52 | 只看该作者

Q1需要饱和导同吧

输出电流大的话要注意Q1的Vgs

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39楼
awey| | 2007-2-1 19:45 | 只看该作者

liudewei 看贴不专心……

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40楼
sdenff| | 2007-6-21 18:03 | 只看该作者

我就是用的这个电路

结果不行,好象问题出现在9013上面,不知道怎么搞的只要9013的基极接上去电压就只能上升到0.68左右,何故?

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