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登录 · 发表于 2021-8-4 10:07

TEA2209T是新一代有源桥式整流器控制器产品，取代了传统二极管桥。将TEA2209T与低电阻高压外部MOSFET配合使用，可显著提高功率转换器的效率，因为典型的整流二极管正向传导损耗已消除。在90 V (AC)电源电压下，效率可提高约1.4%。

发表于 2021-8-5 18:15

已投，发展太快了

登录 · 发表于 2021-8-5 19:27

发表于 2021-8-6 10:04

已投票，现在技术真的厉害了

登录 · 发表于 2021-8-6 10:06

以参加

登录 · 发表于 2021-8-6 10:09

我就为了拿个奖

发表于 2021-8-6 10:09

已投票

发表于 2021-8-6 10:09

已投票

发表于 2021-8-6 10:12

已投票

发表于 2021-8-6 10:12

已经投票了，选择几个类似的产品！

发表于 2021-8-6 10:23

已投票

发表于 2021-8-6 10:26

已投票无线充电越来越方便能够摆脱连接线的困扰，稳定性和便捷性都非常好

发表于 2021-8-6 10:28

已投票德州仪器和英飞凌的氮化镓器件
投票理由：氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。能够带来低损耗和高开关频率：低损耗可降低导阻带来的发热，高开关频率可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。

发表于 2021-8-6 10:29

已投票

发表于 2021-8-6 10:33

已投票

登录 · 发表于 2021-8-6 10:36

已投票

全新的LMG3525R030-Q1是业界首款具有集成驱动器、保护和主动电源管理功能的先进汽车GaN FET。在高电压、高密度应用中，更大限度地减小布板空间是一个重要的设计考量因素。随着电子系统越来越小，其中的各种元件也必须缩减尺寸和间距。TI的新型GaN FET集成了快速开关驱动器以及内部保护和温度感应功能，使工程师能够在实现高性能的同时减小电源管理设计的布板空间。这种集成加上TI GaN技术的高功率密度，使工程师不再需要分立式解决方案中通常所需的10多个元件。此外，当应用于半桥配置时，每个全新的30 mΩ FET都可以支持高达4 kW的功率转换。新型GaN FET采用TI的理想二极管模式来降低功耗。例如，在功率因数校正 (PFC) 中，与分立式GaN和SiC金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比，理想二极管模式可将第三象限损耗降低多达66%。理想二极管模式还消除了对自适应死区时间控制的需要，从而降低了固件复杂性和开发时间。 TI GaN FET封装的热阻抗比同类封装产品低23%，因此，工程师能够使用更小的散热器，同时简化热设计。

发表于 2021-8-6 10:39

已投票，均为使用过或名气大的

发表于 2021-8-6 10:40

已投票

发表于 2021-8-6 11:08

已投

登录 · 发表于 2021-8-6 11:28

电源很重要，某些重要的场景，电压精度要高，电压调整率要好，EMI也很重要，电源IC的寿命同样也很重要。

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