SH79F6488 EEPROM问题

1万 · 2021-10-10 10:11

想试下EEPROM功能，显示一个数掉电后上电继续加数，但每次上电都是从0开始，有些延时

1万 · 2021-10-10 10:13

楼主程序可以公开吗？贴程序看下吧，这么说看不出什么原因

1万 · 2021-10-10 10:15

初始化，显示程序我就没贴出来
void Write_Data(unsigned int addr1,unsigned char dat1)
{
CY = EA;
EA = 0;
FLASHCON = 0x01;                         //SSP编程需先关闭中断
IB_DATA = dat1;                               //编程用数据寄存器
IB_OFFSET = addr1;                      //被擦除/编程的块单元地址
XPAGE = 0x00;                               //擦除/编程用扇区选择和地址选择寄存器
if(gBFlashLock!=0x5A)                //判断写操作标志位
{
      goto Write_Err;
}
IB_CON1 = 0x6E;                               //SSP操作模式选择寄存器:存储单元编程
IB_CON2 = 0x05;                               //SSP流程控制寄存器1
IB_CON3 = 0x0A;
IB_CON4 = 0x09;
IB_CON5 = 0x06;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
Write_Err:
gBFlashLock=0x00;
XPAGE=0x00;
FLASHCON = 0x00;                      //当不需要对类EEPROM操作时，必须将FAC位清0。
EA = CY;
}

/*┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈
SSP操作类EEPROM-读数据:
入口：addr = 扇区单元地址
出口：dat = 读出的数据
┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈┈*/
unsigned char Read_Data(unsigned int addr2)
{
unsigned char dat2;
CY = EA;
EA = 0;
FLASHCON = 0x01;
XPAGE = 0x00;
IB_OFFSET = addr2;
      if(gBFlashLock!=0x5A)                // 烧写/擦除的超级抗干扰措施
{
      goto Read_Err;
}
IB_CON1 = 0x6E;                               //SSP操作模式选择寄存器:存储单元编程
IB_CON2 = 0x05;                               //SSP流程控制寄存器1
IB_CON3 = 0x0A;
IB_CON4 = 0x09;
IB_CON5 = 0x06;

dat2 = IB_DATA;                               //取出数据
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
Read_Err:
gBFlashLock=0x00;
XPAGE=0x00;
FLASHCON = 0x00;                      //当不需要对类EEPROM操作时，必须将FAC位清0。
EA = CY;
return dat2;
}
//擦除
void cc(unsigned int addr)
{
      CY = EA;
EA = 0;
FLASHCON = 0x01;
XPAGE = addr;
      if(gBFlashLock != 0xA5)                //判断写操作标志位
{
      goto Erase_Err;
}
IB_CON1 = 0xE6;                               //SSP操作模式选择寄存器:扇形擦除
IB_CON2 = 0x05;
IB_CON3 = 0x0A;
IB_CON4 = 0x09;
IB_CON5 = 0x06;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
Erase_Err:
gBFlashLock=0x00;
XPAGE=0x00;
FLASHCON = 0x00;
EA = CY;
}
void work()
{
T++;
if(T == 1000)
{
      T = 0;
      num ++;
      {
         if(num > 60)
         {
            num = 0;
         }
      }
}
cc(0x01);
Write_Data(0x01,num);
}
void view()
{
Display_DIA(0,num);
}
void main()
{
Oscillator_Init();
CLK32KTO24M();
init();
Delayms(1);
ClearDisplay();
gBFlashLock = 0x5A;                      //烧写/擦除的超级抗干扰措施标志位
num = Read_Data(0x01);
while(1)
{
      work();
      view();
      Delayms(1);
}
}

1万 · 2021-10-10 10:19

你是如何检测掉电的呢？重要的部分没说

1万 · 2021-10-10 10:24

CY = EA;
EA = 0;
。。。
EA = CY;

这是在找死的节奏，中间代码很可能改变CY的，返回时EA的状态可能出错了
要这样用
＃pragma disable
unsigned char Read_Data(unsigned int addr2)
{
//......
}

或者

CY = EA;
_push_(PSW);
EA = 0;
。。。
_pop_(PSW);
EA = CY;

1万 · 2021-10-10 10:26

拔掉电池不就掉电了吗

1万 · 2021-10-10 10:29

我是看到该芯片的应用手册是这样写的

1万 · 2021-10-10 10:30

读数据参考手册程序改成这样了，还是不行，感觉写不进去
unsigned char Read_Data(unsigned int addr)
{
      unsigned int temp;
FLASHCON=1;
      XPAGE = 0;
temp=*(unsigned int code *)(addr);
FLASHCON=0;
return(temp);
}

1万 · 2021-10-10 10:32

我感觉是我写入的地址有问题，但改了取低八位和16位都写不进去

1万 · 2021-10-10 10:35

这样不好，不安全，说明写手册的人水平也不咋地

1万 · 2021-10-10 10:37

仔细看手册，这些都是很简单的操作

1万 · 2021-10-10 10:38

他的EEPROM地址可能有映射，就是当成EEPROM时的地址与当成普通代码空间的地址是不一样的

1万 · 2021-10-10 10:40

好的，谢谢，我去改掉

1万 · 2021-10-10 10:42

还没解决，不造为啥掉电后有时候能继续加数，有时候从0开始加数，真的是找不到哪里有问题

2万 · 2021-10-10 10:46

main里面延时太短了

2万 · 2021-10-10 10:48

导致有可能没写完数据，把Delayms(1)改成Delayms(10)就一切正常

只看该作者 · 2021-10-16 23:14

dengdc 发表于 2021-10-10 10:24
CY = EA;
EA = 0;
。。。

你这样PSW里其它位的状态也复原了，同样会覆盖中间代码造成的PSW改变，应该POP到ACC或确定可以使用的某个寄存器才安全。

只看该作者 · 2021-11-1 15:11

掉电存储，确实很重要，还有一点，就是掉电的一瞬间该如何存储？

只看该作者 · 2021-11-5 21:09

楼主，还要继续修炼啊。我遇到过真正的高手，调试我司的一款产品。要用到掉电后数据**，上电后要继续完成掉电前的进程！注意是进程！
调试时，有时发现掉电后，不会进入进程。他想了想，大概2分钟。就知道原因了。是芯片之间通讯延迟，导致掉电后，主芯片来不及存储数据。他马上改成主芯片的低电压检测模式。掉电信号，不是从电源板的芯片发过来再执行掉电操作。
3分钟后，偶发性的故障马上消失。这是从事单片机编程15年的高手啊~~

SH79F6488 EEPROM问题

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