紧急求助，各位大神看看这个电路是什么问题？

只看该作者 · 2021-10-18 15:01

bendn 发表于 2021-10-18 11:24
会不会AO3401的G极没有串接电阻，下管对AO3401的控制信号直连的G极，如果下管打开特别快的话，因为AO3401的 ...

应该是这个原因，可以将R4改为100K，然后在GD之间串联10K电阻就可以了。

只看该作者 · 2021-10-18 15:20

我又仔细分析了一下，感觉更可能是Q2控制Q1，使得Q1导通过快，MOS管的导通电流变化过快，进而在MOS管的寄生电感上面产生很大的感抗，形成振荡电路，最后出现高压击穿MOS，改进的措施还是在Q1的G极上面串接一个小电阻，或者在Q1的G极和S极接上一个小电容，使得MOS开启缓慢一些减弱振荡。

因为你这个电路没有高负载的地方，所以应该不是发热引起的损坏，更像是产生的高压损坏，高压损坏在你这个电路这里只能是振荡引起。

然后你这个Q1打开慢一些无所谓，交叉损耗很小，不像是电源的开关控制，那种的电流很大，打开太慢的话，开关交叉损耗就会很大，会出现热损坏

1万 · 2021-10-18 15:48

不知道都是怎么计算的，导通太快引起损坏都出来了；
R7是10k，开关速度能快到哪里去哦

只看该作者 · 2021-10-18 17:05

lfc315 发表于 2021-10-18 15:48
不知道都是怎么计算的，导通太快引起损坏都出来了；
R7是10k，开关速度能快到哪里去哦 ...

你先看仔细明白了说的是啥再回复吧，我说的是Q1导通太快，不是Q2，你看不到Q1的G极是用MOS直接导通到地的？

只看该作者 · 2021-10-18 17:17

一事无成就是我发表于 2021-10-18 14:47
都是大神，还红箭头标注电流方向，冒烟输出短路，除非你用膝盖头想的，PMOS输出短路100%冒烟，放大状态 ...

能不能好好组织一下语言啊，都看不懂你想说什么，你要是知道原因的话，就好好说出来分析过程让其他人审视，如果确实有道理大家也可以学习提高，莫名其妙的说一个不知所云的原因，这难道是你做研发工作的态度？如果你觉得太简单不屑于帮别人解惑呢，那就请不要乱发言在这里秀存在感

只看该作者 · 2021-10-18 17:57

Q1的漏极对地短路了，管子吹下来，先不着急换新的上去，万用表测一下Q1漏极焊盘对地是不是直通或者阻抗很小。

只看该作者 · 2021-10-18 19:38

bendn 发表于 2021-10-18 15:20
我又仔细分析了一下，感觉更可能是Q2控制Q1，使得Q1导通过快，MOS管的导通电流变化过快，进而在MOS管的寄生 ...

感谢，我明天再按照你的思路验证一下

2万 · 2021-10-18 19:40

除非脚位错了或焊短路了，要不然10K的电阻，不管怎样都不会烧。

2万 · 2021-10-18 19:43

bendn 发表于 2021-10-18 12:27
而且因为米勒电容的存在，Q1在导通的过程中，还会出现这样一个电流通路，也就是Q1的D、S之间电流刚刚达到最 ...

pF级的寄生电容要想冲坏这个MOS，实在太太太不容易了。

2万 · 2021-10-18 19:44

智能diy 发表于 2021-10-18 10:42
感觉是Q2导通不完全，导致Q1也导通不完全，排除静电击穿，一般静电击穿不冒烟。感觉R8应该去除。 ...

再怎么不导通，连接的是几十K级的负载，它也不会坏

只看该作者 · 2021-10-19 09:05

king5555 发表于 2021-10-18 23:49
电池两端不是6V，充电器输出带有突波20V以上，不是静电。我高职毕业生。

哪怕是小学毕业，只要能真的分析出原因来，都是值得大家学习的，毕竟知识不分学历高低。

你说的这个充电器冲击不知道实际损坏过程中有没有用到，需要楼主确认一下

1万 · 2021-10-19 09:09

bendn 发表于 2021-10-18 17:05
你先看仔细明白了说的是啥再回复吧，我说的是Q1导通太快，不是Q2，你看不到Q1的G极是用MOS直接导通到地的 ...

Q2速度都受限了，Q1还能快到哪里去。。。
难道火车厢比火车头跑得更快

只看该作者 · 2021-10-19 09:10

lyjian 发表于 2021-10-18 19:43
pF级的寄生电容要想冲坏这个MOS，实在太太太不容易了。

所以需要验证，前面我是想的会不会每次冲击对G极的绝缘层有一些影响，多次电流冲击累加后引起绝缘层击穿，但是后面想的更可能是振荡冲击，Q1打开的过程中，冲击电流在其自身寄生电感上产生高压电动势，目前我能想到的除了这个原因，实在想不出还有哪里能引起高压。毕竟如果不考虑电感只考虑三个寄生电容的简单模型，那就只有冲击电流才能损坏MOS。

只看该作者 · 2021-10-19 09:37

lfc315 发表于 2021-10-19 09:09
Q2速度都受限了，Q1还能快到哪里去。。。
难道火车厢比火车头跑得更快

感觉不是这么简单的对应，MOS管导通的全过程是下面这张图，实际Q2处于t2~t3这段时间才是真正对Q1的控制时间，这段时间Q2应该是处于可变电阻区的，只要电阻小到与上拉电阻R4=10K分压一定值就可以打开Q1，所以实际Q1受控开启的时间应该是远小于Q2的受控开启时间

1万 · 2021-10-19 09:43

bendn 发表于 2021-10-19 09:37
感觉不是这么简单的对应，MOS管导通的全过程是下面这张图，实际Q2处于t2~t3这段时间才是真正对Q1的控制时 ...

Q2逐渐开通的时候，不是也是逐渐对Q1的G-S电容充电的过程吗，Q1的导通速度当然受限于Q2的导通速度吧？

“如果下管打开特别快的话，因为AO3401的G、S之间存在寄生电容，就会形成这样一个瞬时的大电流通路，是不是就可能引起G极的绝缘层损伤，多次冲击过后就可能引起绝缘层击穿彻底短路”

大电流引起绝缘层损伤，你上面这个说法源自于哪里？我去研究研究

只看该作者 · 2021-10-19 10:56

本帖最后由 bendn 于 2021-10-19 10:58 编辑

lfc315 发表于 2021-10-19 09:43
Q2逐渐开通的时候，不是也是逐渐对Q1的G-S电容充电的过程吗，Q1的导通速度当然受限于Q2的导通速度吧？

...

Q1打开速度受限于Q2没错，但也只体现在t2~t3阶段，这个阶段Q2的D、S极才会开始出现电压变化，而电压变化的这个阶段，就是打开Q1的阶段

只看该作者 · 2021-10-19 11:01

lfc315 发表于 2021-10-19 09:43
Q2逐渐开通的时候，不是也是逐渐对Q1的G-S电容充电的过程吗，Q1的导通速度当然受限于Q2的导通速度吧？

...

这个大电流引起绝缘层损伤只是我根据之前遇到现象的推测，正常来讲G极是有一层绝缘层，与D、S极的电阻很大，一般是十几甚至几十MΩ级别，但是我遇到过一些工作状态异常的MOS管，G极与D、S极的电阻变成了几KΩ，所以有这么个猜测

只看该作者 · 2021-10-26 22:27

楼主，这个问题有答案了吗？

只看该作者 · 2021-10-28 08:53

记得诚发表于 2021-10-26 22:27
楼主，这个问题有答案了吗？

看我评分的三个

1万 · 2021-11-9 19:06

没冒烟状态Q1烫手吗？

没冒烟状态测量Q1工作电流等于多少？

紧急求助，各位大神看看这个电路是什么问题？

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