负载开关的浪涌电流、逆电流

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甘木|  楼主 | 2021-11-14 08:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
关于负载开关ON时的浪涌电流
负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时,向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。
这种流过大电流的现象称作浪涌电流(Flash Current)。
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定,输入电压VIN变大时,电流也相应变大。
浪涌电流显著变大时,有可能会引起误动作和系统问题。
而且,在超过最大额定电流时,有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2, 并缓慢降低Q1的栅极电压,可以缓慢地使RDS(on)变小,从而可以抑制浪涌电流。
■负载开关等效电路图
120447g930cd82x8wdlcq9.jpg


关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施

■Nch MOSFET负载开关等效电路图
Nch MOSFET 负载开关:RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V
  • Q2 OFF时,负载SWQ1 ON。(Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。)
  • Q2 ON时,负载SWQ1 OFF。
  • Q1 ON时,由于会流过浪涌电流,所以作为应对措施追加C2。
       120447e1yy21c4z8c92p9d.jpg    

关于负载开关OFF时的逆电流

即使在负载开关Q1从ON到OFF时,由于存在输出侧负载容量CL,所以输出VO引脚的电压会残留一定时间。
输入VI侧比输出VO侧电压低时,由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管,所以有时寄生二极管导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的逆电流。
要注意,不要超过MOSFET Q1的额定电流值。
关于输入旁路电容器CIN的容量值,请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。
■负载开关等效电路图
       120447rfu5onn2ug8d0npg.jpg   

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甘木|  楼主 | 2021-11-14 08:38 | 显示全部楼层
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定,输入电压VIN变大时,电流也相应变大。
浪涌电流显著变大时,有可能会引起误动作和系统问题。

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qbwww| | 2021-11-14 09:52 | 显示全部楼层
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定,输入电压VIN变大时,电流也相应变大。
浪涌电流显著变大时,有可能会引起误动作和系统问题。

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