使用ST标准库开发需要修改的地方
1)GD对时序要求严格,配置外设需要先打开时钟,在进行外设配置,否则可能导致外设无法配置成功;ST的可以先配置在开时钟。
2)修改外部晶振起振超时时间,不用外部晶振可跳过这步。
原因:GD与ST的启动时间存在差异,为了让GD MCU更准确复位。
修改:
将宏定义:#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)修改为:#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)
3)GD32F10X flash取值零等待,而ST需要2个等待周期,因此,一些精确延时或者模拟IIC或SPI的代码可能需要修改。
原因:GD32采用专利技术提高了相同工作频率下的代码执行速度。
修改:如果使用for或while循环做精确定时的,定时会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短,因此需要仿真重新计算设计延时。使用Timer定时器无影响。
4)在代码中设置读保护,如果使用外部工具读保护比如JFLASH或脱机烧录器设置,可跳过此步骤。
在写完KEY序列后,需要读该位确认key已生效,修改如下:
总共需要修改如下四个函数:
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
5)GD与ST在flash的Erase和Program时间上有差异,修改如下:
6)需求flash大于256K注意,小于256K可以忽略这项。
与ST不同,GD的flash存在分区的概念,前256K,CPU执行指令零等待,称code区,此范围外称为dataZ区。
两者在擦写操作上没有区别,但在读操作时间上存在较大差别,code区代码取值零等待,data区执行代码有较大延迟,代码执行效率比code区慢一个数量级,因此data区通常不建议运行对实时性要求高的代码。
为解决这个问题,可以使用分散加载的方法,比如把初始化代码,图片代码等放到data区。 |