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求大师帮忙

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楼主
Power0088|  楼主 | 2022-1-25 19:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 Power0088 于 2022-2-14 09:21 编辑


如上图1，浪涌电压来了可控硅可以触发，但是可控硅会一直不断，前面电源是24V，2A。
问题一：有没有办法让可控硅自已在浪涌过后断开？浪涌时间是0.5-1mS。

问题二：我在门极加了电容后不知道开关如何控制，G极负压是否能关断？如果可以应该如何加控制信号？
如下图2的红线。


跪求大师帮忙，谢谢。

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xch 2022-1-26 10:10 回复TA
这个电路不能用。得换其他设计。 
王栋春 2022-1-25 20:52 回复TA
楼主直接将电源短路岂不更危险！建议楼主试试稳压二极管。 

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沙发
wanwenhao1| | 2022-1-25 19:56 | 只看该作者
有关断的要求，应该可以使用可关断可控硅吧。
网上介绍的是：可关断可控硅GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控可控硅。其主要特点为，当门极加负向触发信号时可控硅能自行关断。

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板凳
Power0088|  楼主 | 2022-1-25 20:24 | 只看该作者
wanwenhao1 发表于 2022-1-25 19:56
有关断的要求，应该可以使用可关断可控硅吧。
网上介绍的是：可关断可控硅GTO（Gate Turn-Off Thyristor） ...

嗯，谢谢您的回复，如果这是一个可关断的可控硅，应该怎么加触发信号关断呢？如果我要打开1ms，然后1到2mS关断。有办法吗？

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地板
gx_huang| | 2022-1-25 20:31 | 只看该作者
如果只是抗浪涌，建议选大功率的TVS即可，TVS是钳位保护。
你这个电路，是过压直接把24V输入短路，这是极度危险的，似乎大部分场合也不需要这样做。

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5楼
Power0088|  楼主 | 2022-1-25 21:06 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2022-1-25 20:31
如果只是抗浪涌，建议选大功率的TVS即可，TVS是钳位保护。
你这个电路，是过压直接把24V输入短路，这是极度 ...

嗯，谢谢您的回复，这个电路tvs是可以。但是上次一个电路浪涌10mS，tvs扛不住，所以想研究一下这个电路。不知道有没有办法关断呢？

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6楼
R2D2| | 2022-1-25 21:59 | 只看该作者
THYZORB® Thyristor Surge Protection Devices

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7楼
manbo789| | 2022-1-26 08:21 | 只看该作者
硬要这样来，把可控硅换成三极管不就好了，

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8楼
hjl2832| | 2022-1-26 08:29 | 只看该作者
tvs扛不住，可以在前面增加大电感（电感量mH级以上），实测效果很明显的。我的产品在做雷击浪涌测试时就是这样的组合才能过。用NTC+TVS是无效的。

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hjl2832 2022-1-27 08:22 回复TA
@Power0088 第一，你要了解什么是脉冲电流，第二，你要了解你说的浪涌电流是什么特性，你自己也说了浪涌时间是0.5-1mS。第三，再复习电感的原理以及在电路中的特性。第四，想想我为什么强调电感量要mH级别，而不是uH、nH级别。 
Power0088 2022-1-26 09:43 回复TA
没什么用吧，加大电感只是会让电流变慢，时间长一点而已，但是能量是一样大的吧。 
9楼
Power0088|  楼主 | 2022-1-26 09:41 | 只看该作者
manbo789 发表于 2022-1-26 08:21
硬要这样来，把可控硅换成三极管不就好了，

三极管做不了吧，如果浪涌是1000A，Ib电流不好控制，而且三极管电流也太不到这么大吧。

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10楼
xch| | 2022-1-26 10:07 | 只看该作者
https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ltc4367.pdf

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11楼
lfc315| | 2022-1-26 10:48 | 只看该作者
本帖最后由 lfc315 于 2022-1-26 11:54 编辑

这种场合用下面这种压敏电阻可以吗？




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12楼
xch| | 2022-1-26 11:24 | 只看该作者
lfc315 发表于 2022-1-26 10:48
这种场合用下面这种压敏电阻可以吗？

楼猪没说要过啥标准。GJB?  

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13楼
Power0088|  楼主 | 2022-1-26 12:06 | 只看该作者
xch 发表于 2022-1-26 10:07
https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ltc4367.pdf

老师，你这IC时间都是微秒级了，太长了。我现在要的不是方案，我想要我说的电路有没有办法实现？浪涌过后，触发图2中的红色开关。

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14楼
Power0088|  楼主 | 2022-1-26 12:07 | 只看该作者
lfc315 发表于 2022-1-26 10:48
这种场合用下面这种压敏电阻可以吗？

我不是要方案，想要我图2的控制。老师有办法吗？

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15楼
wanwenhao1| | 2022-1-26 12:17 | 只看该作者
Power0088 发表于 2022-1-25 20:24
嗯，谢谢您的回复，如果这是一个可关断的可控硅，应该怎么加触发信号关断呢？如果我要打开1ms，然后1到2m ...

如果使用可关断可控硅，则需要一个负电压源。ms级的延时应该没问题。

仅仅达到你电路的目的，使用MOS管可能更容易实现。它不需要负电源，只要调整好栅压，就能达到你的要求。

你甚至还可以考虑用大功率的TVS元件来作钳位保护，只是钳位的电压精度不好控制。

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Power0088 2022-1-26 16:48 回复TA
恩，谢谢老师回答，但我不是为了保护系统。我只是在想我发的电路如何实现可控硅断续流。用MOS管会和用三极管一样，1000A的电流会进入击穿区，VDS压降会很大。 
16楼
lyjian| | 2022-1-26 12:34 | 只看该作者
一个稳压管+一个功率三极管

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17楼
lfc315| | 2022-1-26 15:04 | 只看该作者
Power0088 发表于 2022-1-26 12:07
我不是要方案，想要我图2的控制。老师有办法吗？

功能实现应该是没问题，只是看付出的成本是否值得；
我想不到有三五个元件就能实现你需求的电路；
如果让我选，我会用个足够功率的TVS管来防浪涌

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Power0088 2022-1-26 16:47 回复TA
恩，谢谢老师回答，但我不是为了保护系统。我只是在想我发的电路如何实现可控硅断续流。 
18楼
gx_huang| | 2022-1-26 16:25 | 只看该作者
关键在于系统设计，电源24V/2A，要求浪涌1000A，且钳位到28V，没有这样的要求的吧。
如果只是为了保护后级不被击穿，可以后级电压加限压恒流保护，或者后级器件提高耐压，不要老是想着把24V电压钳位到28V。
像汽车电子，24V系统，一般钳位到58V，后级器件耐压60V以上，则可确保不损坏。

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19楼
lfc315| | 2022-1-26 16:39 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2022-1-26 16:25
关键在于系统设计，电源24V/2A，要求浪涌1000A，且钳位到28V，没有这样的要求的吧。
如果只是为了保护后级 ...

按楼主电路，可控硅能耐1000A电流吗？

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20楼
Power0088|  楼主 | 2022-1-26 16:45 | 只看该作者
lyjian 发表于 2022-1-26 12:34
一个稳压管+一个功率三极管

功率三极管响应速度也很慢的吧。截止区到饱和区需要越过放大区。而且这个千安级的电流，三极管会工作在击穿区（但时间短可能不会损坏），但是三极管的饱和压降会很高。

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