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[电路/定理]

求助！！三极管电源开关电路功率不够，求原位替代

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楼主
YCD1234|  楼主 | 2022-3-8 15:33 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
三极管, 原位替代


这个电路原先用的NPN 管是2SD965A,现在要求 Q1通过3A的电流，封装是SOT89,负载是一个电磁阀，现在有没有什么办法原位替代这个三极管啊，比如用PMOS,求大佬提供一个参考

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DVzhang 2022-3-9 08:32 回复TA
如果控制信号是24V的话，换PMOS是可行的 
地瓜patch 2022-3-8 22:02 回复TA
增大散热面积，能行么。在sot89下边再人为加上一片薄一些的铝片 
王栋春 2022-3-8 21:41 回复TA
这个电路俺也遇到过，用晶闸管和光耦搞定的。 
YCD1234 2022-3-8 18:03 回复TA
@xch ：发射极接的电磁阀，R1我去掉了直接接进了NPN，1号控制信号就是24V，是用继电器控制的和24VA同源的信号 
xch 2022-3-8 17:17 回复TA
Q1 发射极接啥？ 按照你的说法，R1可流过2.7A电流，R1上压降有18V. 1号控制信号的逻辑电平是多少？ 

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沙发
YCD1234|  楼主 | 2022-3-8 15:37 | 只看该作者
或者是我的使用不对吗？这个三极管功率500mW  Icm=5A
实际使用时通过2.7A的电流就烧毁了，是因为散耗功率不够吗？

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pleee 2022-3-8 16:54 回复TA
换个mos管吧 
板凳
jjjyufan| | 2022-3-8 17:44 | 只看该作者
R1位置换电磁阀
Q1位置换用Nmos管 so8封装的
SOT89封装的MOS 很少

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地板
jjjyufan| | 2022-3-8 17:45 | 只看该作者
干嘛串个6.8欧的电阻啊
你的电磁阀不是24V？

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5楼
YCD1234|  楼主 | 2022-3-8 18:00 | 只看该作者
jjjyufan 发表于 2022-3-8 17:45
干嘛串个6.8欧的电阻啊
你的电磁阀不是24V？

这个是之前电路的图，之前电流没有这么大，所以用了个6.8r电阻，有大佬提供了个思路用SOT23封装的A03401的PMOS原位替换一下，可行吗？

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6楼
jjjyufan| | 2022-3-8 18:06 | 只看该作者
3401 可能不一定扛得住长时间3A 余量不足

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YCD1234 2022-3-8 18:12 回复TA
实际电流是2.7左右，这个理论上是可以原位替代的是吧？ 
7楼
jjjyufan| | 2022-3-8 18:30 | 只看该作者
能不能替代 还要看实际的
你可以看看3401 规格书 建议电阻位先短接 参考下实际vgs电压
反正是要改，建议用Nmos

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YCD1234 2022-3-8 18:48 回复TA
主要他后面还有些电路，最好还是原位替代才考虑PMOS，是短接R1对吗？ 
8楼
jjjyufan| | 2022-3-8 18:50 | 只看该作者
短接R1
你控制信号几伏？

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YCD1234 2022-3-8 18:51 回复TA
控制信号24V和24VA同源的，是一个继电器控制的 
9楼
wolfe_yu| | 2022-3-8 21:15 | 只看该作者
楼主这个想法不太现实，我们做产品，需要从原理、功耗这些角度去考虑，如果真有这么大的电流，这个电阻上的功耗就有18W，需要对电阻进行考量，再就是管子，如果需要这种管子的话，就只有达林顿管和碳化硅这类的材料了。建议楼主再仔细考虑一下这个电路的真实应用场景。

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10楼
lfc315| | 2022-3-9 09:02 | 只看该作者
R15去掉，或者换100k；
R7改1R；
R1改0.2R；

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wanwenhao1 2022-3-15 10:36 回复TA
@lfc315 ：是的，他这个设计有问题，Q1想通过3A的电流，但只设计了一个三极管放大，基极电流必然会很大。 电路应该改为复合管，或者使用MOS管，会合理一些。 
lfc315 2022-3-14 11:59 回复TA
@wanwenhao1 ：10楼的建议，目的也差不多，让压降尽量降在R1上，但是按10楼的方法不改R7，估计你的R1更扛不住。 
lfc315 2022-3-14 11:56 回复TA
@wanwenhao1 ：可以计算一下，不会计算也可以用个仿真软件仿真一下。在不方便改板的情况下这样改应该勉强能用，三极管还是会挺热，毕竟你的封装就这么大。 
wanwenhao1 2022-3-13 21:27 回复TA
R7改为1Ω，则Q1的发射结电流将会有多大，不妥吧。 
wanwenhao1 2022-3-13 21:26 回复TA
R7改为1Ω，则Q1的发射结电流将会有多大，不妥吧。 
11楼
nnaroon| | 2022-3-9 10:03 | 只看该作者
jjjyufan 发表于 2022-3-8 17:44
R1位置换电磁阀
Q1位置换用Nmos管 so8封装的
SOT89封装的MOS 很少

前辈，关于三极管功率有些疑问。这个三极管功率500mW  Icm=5A，那 500mW/5A ,得到100mV是什么电压

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wanwenhao1 2022-3-13 21:28 回复TA
500mW/5A ,得到100mV是Q1的饱和压降。 
12楼
R2D2| | 2022-3-9 20:41 | 只看该作者
用射随器当开关，真是个人才，怎么不上天呢？

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13楼
smmj| | 2022-3-9 21:14 | 只看该作者
换pnp管，同样封装的，控制信号低电平接通电磁阀，r1短路或换0.1r

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14楼
coody| | 2022-3-11 10:26 | 只看该作者
nnaroon 发表于 2022-3-9 10:03
前辈，关于三极管功率有些疑问。这个三极管功率500mW  Icm=5A，那 500mW/5A ,得到100mV是什么电压 ...

三极管功率500mW表示其能耗散的热功率，Icm=5A表示最大电流，一般是脉冲电流，因为连续电流的话，自身的耗散功率就超过500mW了。
楼主用的发射极输出方式，若果控制信号也是24V，并且R1短路，R15开路，假设三极管电流放大倍数为100倍，则Ib=0.03A，R7压降为9.9V，假设Vbe=1.0V，则Vce=10.9V，耗散功率=10.9*3=32.7W，不现实的。

用一个复合管（达林顿管）才有机会。

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15楼
fengok008| | 2022-3-13 11:24 | 只看该作者
pmos更换啊

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16楼
一事无成就是我| | 2022-3-14 23:11 | 只看该作者
R2D2 发表于 2022-3-9 20:41
用射随器当开关，真是个人才，怎么不上天呢？

看到你这语气，我郁闷很久的心忍不住笑了，确实你说的是那么回事，但是也可以，就是基极的电压要高于射极至少0.7V，还得保证基极电流Ibe大于等于3A/放大倍率，否则热死很正常，因为工作在放大区，而不是饱和导通区

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