NVSRAM cy14b104na

只看该作者 · 2012-3-26 16:48

我使用的是CYPRESS公司的NVSRAM CY14B104NA，该芯片据说掉电时数据会自动存储。可是我通过FPGA写入后，断电，再次上电后发现，数据没有被存储。确认程序上没有问题，怀疑是设置问题或者是硬件问题。
设置问题：芯片手册上说是掉电自动存储，上电自动恢复，不需要设置的啊。
硬件问题：芯片手册上有个图是WE和VCC之间连接一个电阻，我没有连，Vcap用的是150uF的电容。
有没有用过的大侠可以给指点一下啊。

1万 · 2012-3-26 21:45

NVSRAM有三种存储方式：自动存储、硬件存储和软件存储；有两种“恢复(RECALL)”操作方式：自动RECALL和软件RECALL。
你用的哪种方式?

只看该作者 · 2012-3-28 09:22

2# Go_PSoC
我想用自动存储和自动RECALL，硬件连接是Vcap连了一个150uF的电容，然后软件上没有设置什么东西。

1万 · 2012-3-28 22:15

3# harvard83

我看了一下datasheet,除了cap以外，还要给WE通过10K欧上拉，你可以看一下第5页。

只看该作者 · 2012-3-29 09:45

4# Go_PSoC
这个看到了但是上拉的含义不是特别理解。。。
另外，auto模式是不是不需要使能什么啊，只要存好了，掉电，再上电，取数就可以了？

1万 · 2012-3-29 17:30

5# harvard83

我看他的原理图是接到了VCC

我没有看到需要时能什么，他说：硬件存储是通过HSB，软件存储通过地址序列，自动存储是默认的，我理解的就是按照datasheet上的原理图接就应该没有问题。
Hardware STORE activated by the HSB; Software STORE activated by an
address sequence; AutoStore on device power-down. The
AutoStore operation is a unique feature of QuantumTrap
technology and is enabled by default on the
CY14B104LA/CY14B104NA

1万 · 2012-3-29 17:48

另外，你也可以看看13页的时序图

只看该作者 · 2012-3-30 09:41

7# Go_PSoC
恩那我把10K欧上拉接上再试试吧。。。
谢谢斑竹啦

只看该作者 · 2012-3-30 11:03

10K上拉电阻接上从现象看更不对了 we一直保持高电平下不来数也写不进去了:'(

1万 · 2012-3-30 15:42

搂主方便坝原理图发上来吗？

只看该作者 · 2012-3-30 22:54

10# Go_PSoC

只看该作者 · 2012-3-30 22:55

后来在11脚和17脚之间加了一个10k上拉电阻，也不行，之后就取消了。

只看该作者 · 2012-3-31 16:54

12# harvard83
另外我把Vcap电容换成了150uF.

只看该作者 · 2012-4-2 16:04

从你的原理图上面看，WE和OE没有加上拉，请加上上拉。然后试试对SRAM的写入，再通过FPGA读出，确认数据已经被正确的写入到RAM里面。如果这一步成功，则说明FPGA与NVSRAM之间的接口时序没有问题。然后再断电，测试FPGA读出的数据是否正确。

如果WE和OE都是有FPGA控制，请主意对照数据手册上面的读写时序的要求。4Mbit的芯片，必须要使用68uF以上的电容，原来的47uF是肯定不行的。

1万 · 2012-4-2 22:09

或者你用AN43593建议的 68 µF ± 10试一下。
另外,根据datasheet和应用笔记，WE还是应该上拉的

只看该作者 · 2012-4-4 15:29

这个周末改了程序和仔细研究了时序,从程序方面木有突破,等尝试了修改硬件后在汇报结果~

1万 · 2012-4-4 21:58

期待楼主的结果

只看该作者 · 2012-4-5 08:58

14# qidianhong
上拉的目的是什么呢现在是不掉电写进去都读不出来

1万 · 2012-4-5 23:24

18# harvard83
Datasheet是这样写的：
A pull-up should be placed on WE to hold it inactive during power-up. This
pull-up is effective only if the WE signal is tristate during
power-up. Many MPUs tristate their controls on power-up. This
should be verified when using the pull-up. When the nvSRAM
comes out of power-on-RECALL, the MPU must be active or the
WE held inactive until the MPU comes out of reset.

就是说为了确保上电的时候WE不起作用。当nvSRAM power-on-RECALL时，直到MPU复位后WE才有效。