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国产APM32F103ZET6替换STM32F103ZET6经验分享（二）
接着《国产APM32F103ZET6替换STM32F103ZET6经验分享（一）》继续与大家分享~#申请原创#
3 参数与电气特性的差异在使用过程中，我们发现APM32F103ZE和STM32F103ZE的参数和电气特性不一样，在这种情况下，我们可能会遇到一些问题，以下通过手册对比总结了一些模块的差异。
3.1 时钟3.1.1 温度、电压的环境引起HSI的精度差异APM32的主频标称为96MHz，STM32的主频标称为72MHz；在高低温情况下，HSI作为时钟源时，APM32的时钟精度在（-2.8~2.4）%，但STM32的时钟精度在（-2.0~2.5）%，比APM32略高。
如果使用HSI作为系统时钟，且对精度要求较高、使用场景是；如果使用场景是3.3V的工作电压，且温度为25℃时，出厂精度都是±1%。
3.1.2 HSE起振时间差异引起系统时钟配置存在差异在使用晶振作为HSE的时钟源时，APM32F103和STM32F103的起振温度时间存在差异，STM32F103起振稳定时间比APM32F103的快。
代码中判断是否起振稳定的方式是使用软件延时等待，设置的HSE_STARTUP_TIMEOUT数值是0x500，参考代码如下：
当晶振离开MCU的晶振连接引脚较远，或者匹配电容不合理，或者使用贴片晶振而不是直插晶振时，HSE_STARTUP_TIMEOUT的等待稳定时间不足以使晶振起振，会出现无法起振的情况，导致系统时钟为HSI的8MHz。
另外一方面，代码运行的速率差异，也会影响软件延时等待的实际时间。
解决方法是调大HSE_STARTUP_TIMEOUT，例如设置HSE_STARTUP_TIMEOUT为0x5000
3.2 FLASH3.2.1 APM32F103xE的页擦时间、片擦时间、写时间比STM32F103xE的快通过对比两种芯片的数据手册，我发现两者的Flash的性能参数有点区别： （1）APM32的页擦除时间是2.7~3.5ms，STM32是20~40ms，比STM32快约7倍。 （2）APM32的16bit编程时间是33.7~40.5us，STM32是40~70us，比STM32快约20%。
如果运行的代码中存在软件延时等待擦写时间，注意调整代码。
3.2.2 Flash等待周期的配置差异手册中系统频率与访问Flash等待时间关系如下（见用户手册）： （1）STM32F103ZET6的手册 （2）APM32F103ZET6的手册 然而两家的Flash访问速度也不同，有时候不会安严格的按照手册配置，例如在自己编写代码配置系统时钟为48MHz时、Flash预取使能、等待周期设置为0时，就发现STM32F103ZET6可以正常工作，APM32F103ZET6就不能正常工作。
因此，在配置该参数时，建议还是严格按照官网提供的参数配置。
PS：我看了极海官网上的FAQ，发现有些人因为等待周期不够而出现很多错误，所以大家一定要尽量按照手册上的选择等待周期的个数！不确定够不够的，可以先设置多一个，毕竟“多多益善”嘛~
3.2.3 Flash擦写过程中关闭中断在网上看到，APM32F103ZET6在执行擦写Flash时，最好先关闭中断，否则可能擦写Flash失败（个人没有遇到过这个问题），而STM32F103ZET6则不需要。
3.3 功耗APM32F103较STM32F103相比，运行、睡眠、停机功耗较小，待机功耗较大，但都是在10uA以下，电池功耗基本一致。
如果是电池供电、且运行模式占用的运行时间较多，使用APM32F103ZET6的工作时间是比STM32F103ZET6的工作时间长。如果产时间在低功耗模式运行，工作时长则反之。
3.4 GPIO3.4.1 GPIO配置为浮空输入的抗干扰能力众所周知，在使用GPIO时，应配置相应的GPIO工作模式（见用户手册）。 但是在用作EXTI或是USART_Rx时，GPIO被配置为浮空输入模式后，发现无法读取稳定电平，这是怎么一回事呢？
原来，APM32F103的GPIO在用作浮空输入或复用推挽输出时，容易受到外界影响，导致读取或输出异常，此时有两个解决方案： ①换一种工作模式，通过软件修改成上拉输入或推挽输出； ②电压容易受到干扰，那就外接一个上拉电阻，让电平变稳定。
3.5 USBD与CAN共用这是一个很惊喜的发现——APM32F103可以同时使用USBD和CAN！但是如果要实现这个目的，需要把CAN重新映射到复用引脚，此时是USBD2与CAN共用。 是的没错，APM32F103有两个USBD，但是由于两个USBD公用引脚、地址、寄存器、时钟，所以相当于只有一个USBD，只有在需要同时使用USBD和CAN时，才启用USBD2。
这里有两个使用的注意点： ① 在USBD2的基地址偏移0x1000处写0x0000 0001 ② PA11和PA12引脚给USBD2使用，CAN使用其他引脚
3.6 运行代码的速度有差异相信有不少人都会用for或while循环做延时，但是在实际运用时，发现软件延时在时间的精度上会有误差。
由此可见，APM和STM的芯片在代码的执行速度上有差异，大家千万别把用在STM的延时循环直接套在APM上！可能会因为启动时间不够长而导致系统时钟频率不对（别问我怎么知道的，血的教训 ）。
当然，用定时器或者直接用时钟周期做精准定时的话，那就no problem了~
3.7 Boot0引脚接地问题正常情况下，从主存储区（用户Flash，地址为0x0800 0000）启动，Boot0是必现接GND的。但是在查阅网上资料时，发现STM32F103ZET6的Boot0不接GND也能稳定从主存储区启动，APM32F103ZET6无法稳定从主存储区启动，有时候可以、有时候不能。
在实际应用中，如果是从主存储区启动，还是安安心心的按照官方的推荐将GND通过10kΩ电阻下拉到GND。
4 总结以上是在mini板上编写了简单的测试代码，且在网上搜集、整理了资料进行分析，STM32F103ZET6有的功能、APM32F103ZET6也有，而且APM32F103ZET6额外比STM32F103ZET6多了些功能。 初步判断在不需要修改硬件、少量修改软件（看具体使用了哪些模块、哪些应用场景）的情况下，可以使用APM32F103ZET6是可以替换STM32F103ZET6， 另外，APM32F103ZET6在价格、供货上也有优势，国产真的太香了，兄弟们还犹豫什么快下手！！！
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