诸如MOC3083，之类的，两个串联起来，理论上耐压是提高了，但不会达到2倍的效果，原因是因工艺等因素，两个光耦不可能承受均等的电压。
如果采用并联两个电阻，诸如1M欧，可使光耦在双双截止时，承受均等一半的电压，理论上可达到双倍耐压的效果，但仔细想一下，还是有困惑，因为两个光耦不可能同时导通和截止，因此，在状态转换的瞬间，依然存在不均压的问题。。。。。
各位如何分析？有无类似的应用经验。
我是想用两个标称耐压为600伏的 移相触发型光耦，MOC3052，串联，应用在380V的控制系统中，以3052去触发功率型可控硅。
在移相过程中，380V的峰值将达到380*1.414=537，如果考虑高压超标情况，以440*1.414=622；显然超出单个MOC3052的耐压值600V，
如果使用两个串联，即使两者不均匀，有差异，一大一小，但能保证受压最大者小于上述的622吗？？
还有，两个串联时，不能同时导通或截止，那么，整个电压将全部加在其中一个还在截止状态的光耦上，这个短暂的时刻会造成MOC3052击穿吗？ |
楼主
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