将一个整型变量写读eeprom操作

发表于 2025-3-14 07:47

ST 官方有 EEPROM 仿真例程，你可以在 STM32CubeF1 里找找，或者参考 EEPROM_Emulation 示例。

发表于 2025-3-14 07:48

STM32F1 的 Flash 擦写有次数限制（大概 1 万次），如果是高频存取，建议用 FRAM 或外部 EEPROM。

发表于 2025-3-14 07:49

试试用 HAL_FLASH_Program() 写数据，地址范围要在 Flash 允许的用户区，别写错了。

发表于 2025-3-14 07:50

写入 EEPROM（Flash）之前，先检查 Flash 页是否已擦除，不能直接改写。

发表于 2025-3-14 07:51

你是单次存储还是需要频繁更新？如果是频繁更新，建议用双页轮换技术，避免 Flash 损耗过快。

发表于 2025-3-14 07:51

Flash 读是直接从存储地址取数据，比如 *(uint32_t*)EEPROM_ADDR，你试过这样读取吗？

发表于 2025-3-14 07:52

HAL 库有 FLASH_Program_Word() 可以写 32 位整型，读取直接用指针访问 Flash 地址。

发表于 2025-3-16 11:36

Float才是不好处理的，不过在C语言里还是算好处理的

发表于 2025-3-17 23:37

当然可以，一个字节一个字节地写入数据是单片机。

发表于 2025-3-20 08:02

单片机存储数据需要指定地址，最好提前设计。

发表于 2025-3-20 17:25

存入得时候默认是大端还是小端？

发表于 2025-3-23 22:31

连续写操作只需先设定地址，然后直接发送数据即可。

发表于 2025-3-25 22:55

整形大小取决于其数据类型，比如int通常是4字节，long可能是8字节。

发表于 2025-3-30 09:48

每次读取一个字节，存入数组，最后合并字节成完整数据。

[STM32F1] 将一个整型变量写读eeprom操作