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在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注细节，因为其电压和电流的转换速率通常比硅快得多。遵循指定 PCB 设计指南，可以帮助减少这些常见隐患并消除实验室或现场故障。 SiC 功率电路的优点和注意事项 SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车）中优化性能。但是，由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其与硅基电路相比，这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感。将SIC MOSFET 并联时设计人员必须更密切地注意如何最大限度降低这些影响，因为器件之间的电流分配不均会影响性能。例如，在开关瞬变过程中，在并联中增加一个器件会使 di/dt 倍增，从而可能导致更大的电压过冲。此外，任何寄生电感都可能产生与反馈机制耦合的谐振，从而只会使电流不平衡的情况变得更糟。在这种情况下，PCB 设计人员必须特别注意要降低寄生电感。ASC30N650MT4.pdf ASC60N650MT4 -PDF.pdf ASC30N1200MT4 -PDF.pdf ASC60N1200MT4 -PDF.pdfASC5N1700MT3.pdf ASC100N1700MT4-PDF.pdf
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