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MOS管的寄生参数很多，尤其是米勒电容更是大名鼎鼎，与之相关的名词还有米勒平台，米勒震荡之类的。对一个MOS电路进行仿真，就能看到驱动电压Vgs上升的过程中，有一段基本保持不变的平台电压，这就是米勒平台，这个现象就是米勒效应。 很直观的可以理解，只要Vgs电压持续的时间够长，那么MOS管开启过程就越长，带来的开关损耗就更大，MOS管的发热就更多，MOS管关断也是同样的原因，关断越长，损耗越多。米勒电容延长了MOS管开启和关断的时间。从MOS管的规格书中可知，输入电容定义的是Cgs和Cgd之和，输出电容定义的是Cgd和Cds之和，反向传输电容是Cgd。 米勒电容用于跨接在输入和输出信号之间，就会输出信号就会耦合到输入，造成开通时间延长，MOS管发热量加大，严重降低MOS管的性能。在MOS管关闭的时候，输出毛刺电压耦合到输入，又会造成误导通。为什么米勒电容会造成开通时间延长，这就理解电容吸收和转移电荷的本质：电容一般是平行极板模型，也就是一个极板跑进多少正电荷，另一个极板就会被挤出多少正电路。一个极板被吸走了多少正电荷，另一个极板就会补充进多少正电荷了。 有了电容转移电荷的过程，再来理解MOS管开启过程就比较容易了，根据MOS钳位电感模型进行测试分析，得到MOS管开启过程的电压。 将MOS管开启过程分为三个阶段：当驱动芯片发出控制信号，经过栅极电阻-20欧姆给Cgs充电，在没有达到MOS管开启的阈值电压Vgs-th，也就是时间周期1，此时MOS管是关断的，漏极电压VDS被二极管钳位，就是电源电压Vcc。 随着电流不断的流入Cgs和Cgd，MOS管栅极电压会发生变化。对于电容Cgs而言，正极板认为是栅极，负极板是GND。当有正电荷不断流入Cgs的正极板，就有正电荷不断流出负极板，由于负极板是GND，电位不会变，所以对于Cgs而言，正极板-栅极的电位会提高。 对于Cgd的分析要复杂一些，当驱动芯片没有发出控制信号的时候，栅极电位是0，所以Vgd=Vg-Vd=-7V，所以电容Cgd的漏极是正极板，栅极是负极板。当有正电荷不断流入Cgs的负极板，就会中和电容Cgd负极板的负电荷，在物理学的概念，这个过程叫消融。也抬升Cgd的负极板-栅极的电位。此时Cgd的正极板-漏极就要流出正电荷，但是漏极电位是电源Vcc，由于MOS管是关闭的，所以此时Cgd正极板-漏极的电位也不变化。最后Vgd的电压差随着栅极电位的提高会逐渐减小。 所以在阶段1来看，对电容Cgd和电容Cgd的充电效果而言，都会抬升栅极电压。在这个过程，电容Cgd对栅极充电电流分流比较小，可以忽略Cgd的作用。 到了关键的阶段2，随着Vgs电压不断提高，达到MOS管的开启阈值，MOS管就会打开。此时Vds电压快速下降，也就是Cgd正极板电压也会快速变化下降，这个时候，就会有大量的正电荷迅速抽离正极板，同时负极板-栅极就要吸收大量的正电荷，表现就是大电流快速流过Cgd。驱动的栅极电流几乎都流过Cgd，而不再有电流流入Cgs，所以Vgs就保持不变，出现米勒平台。当栅极驱动电流也不能满足Cgd的需求，此时Cgs就要出来贡献电流，就会在米勒平台出现回沟，如下图所示 由于Cgd的容量有限，大电流持续时间很短，就能将Cgd电容充满电，所以米勒平台时间很快就可以结束。也就是MOS管完全开启，此时漏极电压就到GND（假设MOS管理想，无Rds）。然后栅极驱动电流继续给Cgs充电，直到栅极电压和驱动电压近似相同，完成整个MOS管的开启过程，然后静静的等待关断时刻的到来。
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