STM32F103C8T6核心板开源硬件二

发表于 2023-5-30 11:32

去耦电路原理图设计
QQ截图20230530113214.jpg

发表于 2023-5-30 11:34

原理分析
2.2.1 结论
在电源管脚上放置一个104(0.1μF)的电容能够有效抑制电源上的噪声，也就是能够对电源噪声去耦；

“电源 – 去耦电容 – 地”三点一线的距离越近，则去耦的效果越好

相同材料的电容，即便电容容量减少为1/10，去耦的效果并不会有什么明显变化，我们对于高频去耦用同样封装的器件，容值为0.01μF、0.1μF、1μF效果相差不大

同样容值，贴片（SMD）封装的电容比穿孔的电容效果更好，原因就是穿孔电容的管脚等效的电感要大很多，影响了去耦的效果；

发表于 2023-5-30 11:35

去耦效果图

发表于 2023-5-30 11:35

去耦效果图

发表于 2023-5-30 11:35

放置距离问题
容值最小的电容，有最高的谐振频率，去耦半径最小，因此放在最靠近芯片的位置。

容值稍大些的可以距离稍远，最外层放置容值最大的。但是，所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片

发表于 2023-5-30 11:35

放置位置问题
针对于高速的PCB设计时，电容最好是放置在芯片的同一侧，去耦的效果更好；而如果是MCU类型的去耦电容，那么放置背面和正面的区别不大。

发表于 2023-5-30 11:36

PCB设计示例

[STM32F1] STM32F103C8T6核心板开源硬件二

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