STM32H750内部flash读写

1万 · 2023-6-14 14:48

请教下，STM32H750XBHx我看资料内置flash为128K，并且flash擦除的最小单元也是128K。这样的话我有数据要保存应该怎样处理好呢？写数据时是要将程序部分一起擦除再写回去吗？这样会不会有风险？

2万 · 2023-6-15 14:00

可以考虑外扩存储芯片或者换个多扇区的H7系列芯片。

只看该作者 · 2024-7-30 18:19

考虑使用外部存储器（如EEPROM、外部Flash等）来存储数据。这可以避免频繁擦写内部Flash，从而减少对程序运行的影响和Flash的磨损。

只看该作者 · 2024-7-30 18:19

如果数据量较小且需要频繁更新，可以在运行时将数据存储在内部RAM中，但这仅适用于掉电不丢失数据的需求。

只看该作者 · 2024-7-30 18:51

STM32H750XBHx 系列 MCU 内置的 128KB 闪存确实具有一些限制，尤其是在数据保存方面。

只看该作者 · 2024-7-31 23:17

由于闪存擦除的最小单元是128KB，这意味着每次擦除操作都会影响到整个闪存扇区，包括程序和数据。

只看该作者 · 2024-8-16 14:32

如果你在Flash中保存数据，而数据和程序共用同一个扇区，那么每次写数据时都需要先擦除整个扇区，然后再将程序和数据一起写回去。在这一过程中，任何意外（如电源断电、复位等）都有可能导致程序和数据的丢失。

只看该作者 · 2024-8-17 23:01

外扩芯片就可以吗

只看该作者 · 2024-8-28 12:07

虽然内置的 Flash 是 128KB，并且最小擦除单元是 128KB，但这并不意味着你在写入数据时必须擦除整个 Flash 区块。

1万 · 2025-3-18 08:23

你用的启动方式是什么？如果程序跑在外部Flash，那内部Flash可以当作数据存储区，否则写入时要特别注意避免影响程序运行。

1万 · 2025-3-18 08:24

STM32H750的Flash确实是128K的单独一个扇区，写数据要小心处理，你考虑过用外部Flash或者EEPROM存储数据吗？

1万 · 2025-3-18 08:25

直接擦除128K扇区确实会有风险，特别是如果你的代码也存储在这个区域里。你是打算把数据存在哪里？

1万 · 2025-3-18 08:27

如果一定要写入内部Flash，可以考虑用双缓冲或者外部存储方案，不然每次写数据都要擦除整个扇区，风险确实挺大。

1万 · 2025-3-18 08:28

STM32H7系列有AXI总线，支持外部QSPI Flash，或许用外部Flash存数据会更合适？

1万 · 2025-3-18 08:29

你的数据是频繁更新的吗？如果只是偶尔写入，或许可以提前分区，把程序和数据分开放？

1万 · 2025-3-18 08:31

128K的擦除单元确实挺大，程序和数据共用的话有一定风险。你考虑过用外部存储还是必须使用内部Flash？

1万 · 2025-3-18 08:33

你试过使用RAM缓存数据，等数据积累到一定量再一次性写入Flash吗？这样可以减少擦写次数。

1万 · 2025-3-18 08:35

你是用HAL库操作Flash还是直接使用寄存器？STM32H7的Flash操作和F4/F7还是有些不同的。

1万 · 2025-3-18 08:37

有没有尝试使用Wear Leveling技术？如果数据存储频率较高，可以分块存储，避免Flash过早损坏。