STM32读写内部Flash

发表于 2023-7-30 16:10

内存映射

stm32的flash起始地址为0x0800 0000，结束地址为0x0800 0000加上芯片实际的Flash大小，不同芯片Flash大小不同，RAM同理。

对于STM32F103RCT6，Flash256KB，所以结束地址为0x0803 ffff。

Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，断电不丢失。
RAM可以理解为内存，用来存储代码运行时的数据，变量等等，掉电数据丢失。

STM32将外设等映射为地址的形式，对地址的操作就是对外设的操作。

发表于 2023-7-30 16:10

stm32的外设地址从0x4000 0000开始，可以看到在库文件中，是通过基于0x4000 0000地址的偏移量来操作寄存器以及外设的。

一般情况下，程序文件是从0x0800 0000地址写入，这个是STM32开始执行的地方，0x0800 0004是STM32的中断向量表的起始地址。

在使用keil进行编写程序时，其编程地址的设置一般是：

发表于 2023-7-30 16:10

程序的写入地址从0x0800 0000开始的，其大小为0x40000也就是256K的空间，换句话说就是告诉编译器Flash的空间是从0x0800 0000~0x0804 0000，RAM的地址从0x2000 0000开始，大小为48KB。

M3复位后，从0x0800 0004取出复位中断的地址，并且跳转到复位中断程序，中断执行完之后会跳到main函数，main函数里面一般是一个死循环，进去后就不会再退出，当有中断发生的时候，M3将PC指针强制跳转回中断向量表，然后根据中断源进入对应的中断函数，执行完中断函数之后，再次返回main函数。

发表于 2023-7-30 16:11

内部Flash的构成

发表于 2023-7-30 16:11

主存储器：一般说STM32内部FLASH的时候，都是指这个主存储器区域存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 1M FLASH、 2M FLASH 都是指这个区域的大小。与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按扇区擦除。

发表于 2023-7-30 16:11

系统存储区：系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，负责实现串口、USB以及CAN等ISP烧录功能。

发表于 2023-7-30 16:11

OTP区域：One Time Program，只能写入一次的存储区域，容量为512字节，写入后数据就无法再更改，OTP常用于存储应用程序的加密秘钥。

发表于 2023-7-30 16:11

选项字节：选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、电源管理中的 BOR 级别、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 32 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。

发表于 2023-7-30 16:12

对内部Flash的写入过程
解锁（固定的KEY值）
往FLASH秘钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY1=0x45670123
再往FLASH密钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY2=0xCDEF89AB

发表于 2023-7-30 16:12

数据操作位数：大部分应用场合都是32位的宽度。

发表于 2023-7-30 16:12

擦除扇区
在写入新的数据前，需要先擦除存储区域，STM32提供了扇区擦除指令和整个FLASH擦除质量。
(1) 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何
Flash 操作；
(2) 在 FLASH_CR 寄存器中，将“激活扇区擦除寄存器位 SER ”置 1，并设置“扇
区编号寄存器位 SNB”，选择要擦除的扇区；
(3) 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除；
(4) 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。

发表于 2023-7-30 16:12

写入数据
擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还还需要配置一系列的寄存器，步骤如下：
(1) 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的内部 Flash 操作；
(2) 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位 PG” 置 1；
(3) 针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作；
(4) 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。

发表于 2023-7-30 16:12

查看工程内存的分布
由于内部 FLASH 本身存储有程序数据，若不是有意删除某段程序代码，一般不应修改程序空间的内容，在使用内部FLASH存储其他数据前需要了解哪一些空间已经写入了程序代码。

发表于 2023-7-30 16:12

通过查询应用程序编译时产生的“*.map”后缀文件，打开map文件后，查看文件最后部分的区域，Memory Map of the image

发表于 2023-7-30 16:12

这段代码提供了一张镜像的内存映射（Memory Map），其中包含了入口点地址以及主要的加载和执行区域信息。

镜像的入口点（Entry point）地址是0x08000131。

加载区域（Load Region） LR_IROM1（基地址：0x08000000，大小：0x00001cec，最大大小：0x00040000）用于存放程序代码和只读数据。它是一个绝对地址的加载区域。

执行区域（Execution Region） ER_IROM1（基地址：0x08000000，大小：0x00001cd0，最大大小：0x00040000）用于存放实际执行的代码。它也是一个绝对地址的执行区域。

这个内存映射中的加载和执行区域都是基于基地址0x0800 0000，并且大小相等。意味着整个镜像都被加载到该地址范围，并且执行也发生在相同的地址范围内。

发表于 2023-12-29 07:20

得到不同测试条件下的输出电流和电压值，分析数据并进行比较

发表于 2023-12-29 08:23

这样可以获得更光滑的表面。

发表于 2023-12-29 10:19

是因为它作用是起到抑制，多应用于开关电源电路中

发表于 2023-12-29 11:22

对于标准PCB设计，c形孔的最小直径为0.5mm，

发表于 2023-12-29 13:18

它是由两个尺寸相同、匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯

[其他ST产品] STM32读写内部Flash

相关帖子

浏览过的版块