STM32F103RCT6的匹配电容问题导致RTC晶振不起振
有个项目用了STM32F103RCT6，有万年历的需求，因为公司要省钱，所以不打算用RTC芯片，就直接用了MCU自带的RTC功能，调试的时候发现MCU所有功能都正常，就RTC晶振不起振，换了好几个品牌的晶振，都不能正常起振。
看看官方有没有详细的说明，就去找了芯片规格书，规格书只写了LSE输入电容典型值是5pF，其他就没有更多的信息了 。
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因为项目用的是12.5pF的匹配晶振，我们考虑到PCB会产生电容，就尝试换了几个小的电容也不行，我们后来干脆把电容拆掉，居然就起振了。
后来网上查了资料，发现这是一个很常见的问题，很多人尝试不同的方案解决这个问题，我把他们总结下来。
1. 晶振的品牌和负载电容
大家貌似都知道要用6pF的晶振，现在我的项目12.5pF的也可以用。大家都说KDS日本原装的好，我们那个3毛钱的国产晶振现在貌似也挺正常。
2. 晶振外接的匹配电容
有人说6pF的晶振要配6pF的电容。但有经验公式指出这个电容的值应该是晶振本身负载电容的两倍，6pF的晶振应该配10pF的匹配电容，当然12.5pF的就应该配20pF或者22pF的电容了~电容值不匹配可能造成晶振不起振。更神奇的是，有人指出去掉外接的匹配电容会使晶振起振！这似乎没啥道理，但在我的板子上，有且仅有这个方案是可行的！！！
3. 晶振并联的反馈电阻
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晶振间串联电阻晶振可以并联一个高阻值的电阻，据说这样更容易起振。。。这个电阻的阻值有人说是1MΩ，有人说是5MΩ，也有人说是10MΩ，当然也有人说不能并联这个电阻，并联了反而不起振。
4. XTALout到晶振间串联电阻
这种做法是官方的应用笔记指出的，而且给出了这个电阻的计算公式。对这个电阻的的必要性也是众说纷纭，同样存在两种矛盾的说法，即必须要有这电阻，否则不起振。还有一说不能有这个电阻，否则不起振。从官方的应用笔记来看，这个电阻的主要作用是保护晶振，以防晶振发热。由此看来这个这个电阻似乎并非影响晶振起振的主要因素，甚至可能让晶振更难起振。
5. 晶振的外壳是否接地
这个就不用说了吧。晶振的外壳是金属的，做封装时可以把那个焊盘做成机械焊盘而悬空，也可以做成电气焊盘，然后连接到GND。对这个说法同样存在争议，有人说外壳必须接地，也有人说接地后反而不起振。
6. 提高Vbat引脚的电源质量
这种说法是有一定道理的，因为RTC部分是由Vbat的来供电的。有人说Vbat引脚对电源质量要求比较高，如果纹波较大可能会影响晶振的起振
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更有人说反而需要一些噪声，激励晶振产生正反馈从而顺利起振（本人对此表示呵呵）。但不管怎样，提高电源质量对大家都是好事。
7. 晶振周围的环境
有人指出应该仔细清洗RTC晶振周围的电路，甚至是使用环氧树脂胶将晶振密封起来。这种说法得到了一些人的支持，看来也是有相当多的事实依据。
8. 减少晶振焊接时加热的时间
有人认为长时间加热晶振进行焊接会对晶振本身带来影响，却不是彻底损坏晶振，从而使得晶振不容易起振。这种说法我没验证过，个人表示怀疑。。。
9. 焊接的焊锡量
这个种说法感觉就更不靠谱了，但真的有人在晶振引脚上多加了点焊锡晶振就能起振了。从原理上说，多加点焊锡确实会改变晶振和PCB间的寄生参数，但我感觉影响微乎其微。。。可能晶振已经徘徊在临界值的边缘了，这种做法才会起到一点作用。
10. 使用有源晶振
看了这么多的方案，个人认为这是一劳永逸解决晶振不起振问题的不二法门！因为有人对STM32的RTC晶振不易起振的原因做了一个解释，即出于低功耗的考虑，STM32对晶振的驱动功率比较低，所谓“好鼓不用重锤”，一些差的晶振就需要更高的驱动功率，所以不易起振。我认为这种解释是有道理的。使用有源晶振则不存在驱动功率的问题，如果问题确实是因为驱动功率造成的，那使用有源晶振毫无疑问可以彻底解决问题。而且目前网上还没看到说有源晶振不起振的求助帖。但是有源晶振通常比较昂贵，甚至要比一颗外置的RTC芯片还要贵。至于这个问题的取舍，就要看各位看官自己的想法了。
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