运用电源效率，MOSFET怎么去选择

发表于 2023-11-6 19:53

考虑其导通电阻和开关速度。导通电阻越小，MOSFET的效率越高；开关速度越快，MOSFET的开关损耗越小。

发表于 2023-11-7 12:49

MOSFET的工作电压应该大于电路的电压，其工作电流应该大于电路的电流。

发表于 2023-11-7 16:43

在轻载时，可能会发现使用肖特基二极管的整流电路的电源效率更高。这是因为肖特基二极管具有快速响应特性，可以在负载变化时迅速改变电流方向，从而减少不必要的功耗。

发表于 2023-11-7 17:51

如果工作电压或电流超过了MOSFET的额定值，可能会导致电源效率降低，甚至损坏MOSFET。

发表于 2023-11-7 18:29

需要确定MOSFET的工作电压和电流范围。

发表于 2023-11-7 20:18

封装形式应该符合电路的设计要求，散热方式应该能够满足MOSFET的功耗要求。

发表于 2023-11-7 20:31

发表于 2023-11-7 21:19

对于开关电源，可以选择在负载变化时仍能保持高电源效率的合适驱动IC。负载电阻或占空比高的场合可以使用导通电阻低的高速管，相反可以使用电流较大的驱动管或串联适当功率的电阻以改善负载电阻较大时的电源效率。

发表于 2023-12-5 09:32

在选择mosfet时，必要斟酌其电源服从，按照详细的利用场景选择得当的质料以及尺寸

发表于 2023-12-12 16:33

选择具有高栅极电荷和高导通电压的MOSFET器件，以降低功耗，提高功率效率。

发表于 2024-1-8 15:33

选择得当的门极驱动功率可以进步mosfet的电源服从。

发表于 2024-1-9 11:35

开关电源中的qg也是一个紧张的选择尺度，由于它会影响开关损耗

发表于 2024-2-1 22:34

避免出现压降过大或高频阻抗过大等问题，影响电源效率。

发表于 2024-2-2 19:09

过高的热阻和热损失会导致MOSFET温度升高

发表于 2024-2-4 09:53

尽量选择较低的RDS (on)，以减少传导损耗。

发表于 2024-2-4 12:06

MOSFET的开关时间越短，功率效率越高

发表于 2024-3-1 22:20

MOSFET的工作电压应大于电路的电压，其工作电流应大于电路的电流。

发表于 2024-3-5 14:39

如果工作电压或电流超过MOSFET的额定值，可能会导致电源效率下降，甚至损坏MOSFET。

发表于 2024-3-6 09:33

封装形式应符合电路的设计要求，散热方式应能满足MOSFET的功耗要求。

[应用方案] 运用电源效率，MOSFET怎么去选择