晶振的负载电容

只看该作者 · 2024-1-5 18:35

需要根据晶振的技术规格和外部电路的要求来选择合适的负载电容。

1万 · 2024-1-5 18:52

CPU初始化DMA控制器，外设发出DMA请求。
DMA控制器判断DMA请求的优先级及屏蔽，向总线仲裁器提出总线请求。
当CPU执行完当前总线周期时，释放总线控制权。
DMA控制器获得总线控制权后，开始进行数据传输。
数据传输完成后，DMA控制器释放总线控制权，并产生一个DMA传输结束中断信号。

只看该作者 · 2024-1-5 19:14

晶振是一种石英晶体振荡器，它利用石英晶体内部的电荷摆动来产生稳定的正弦波输出信号。

只看该作者 · 2024-1-5 19:34

在电路设计中，需要根据晶振的规格来选择合适的负载电容，以确保晶振能够按预期工作。

只看该作者 · 2024-1-5 19:47

在选择晶振的负载电容时，一般会根据晶振的规格书来确定。负载电容的大小通常在几pF到几十pF之间。如果晶振规格要求使用20pF的负载电容，那么理论上需要选择两个40pF的负载电容进行串联

只看该作者 · 2024-1-5 20:03

在应用时，一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。这个电容的大小主要由晶振使用环境特性决定，其电容特性值应根据不同的谐振系统选择，可调节波形特性，使其最终符合应用要求。

2万 · 2024-1-5 20:26

在选择晶振的负载电容时，不仅要看晶振本身的推荐值，还要综合考虑上述影响因素，确保最终的等效负载电容接近或者等于晶振最佳工作条件下的负载电容值，从而保证晶振能够在目标频率稳定地工作，并达到规定的精度要求。

1万 · 2024-1-5 20:59

晶振负载电容的选择直接决定了晶振的频率精度和稳定性。匹配电容的选择可以提高晶振的反馈能力，从而提高稳定性和寿命。

只看该作者 · 2024-1-5 21:17

适当的负载电容可以保证晶振的正常工作，并提高电路的稳定性。

只看该作者 · 2024-1-6 16:53

一般来说，晶振的datasheet会提供推荐的负载电容值（通常以pF为单位），并且说明在不同负载电容下对应的频率偏差。负载电容的选择会影响到晶振的谐振频率，增大负载电容会使振荡频率降低，减小负载电容则会使振荡频率升高。

只看该作者 · 2024-1-6 17:13

可以设置缓冲未满时是否发起DMA请求，以及每次请求只进行一次DMA传输，且传输数据字节数等参数。

只看该作者 · 2024-1-6 17:22

晶振的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容，它是晶振正常震荡所需要的电容。负载电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻

1万 · 2024-1-6 17:35

在电路设计时，需要充分考虑晶振的负载电容和匹配电容，以确保系统的稳定性和可靠性。

只看该作者 · 2024-1-6 17:56

可以通过操作DMA_CNDTRx寄存器配置传输的数据量。

只看该作者 · 2024-1-6 18:23

负载电容的选择对于晶振的性能至关重要。合适的负载电容值可以确保晶振的输出信号具有较高的频率稳定性和相位噪声性能。如果负载电容过大或过小，可能会导致晶振的性能下降，如频率波动、输出信号失真等。

只看该作者 · 2024-1-6 18:35

晶振的负载电容是指在电路中跨接晶体两端，与晶体共同构成谐振回路所需的外接有效电容。它对晶振的工作频率和稳定性有着直接的影响。

只看该作者 · 2024-1-6 19:01

晶振的负载电容与外接电容是两个不同的概念。负载电容是晶振的内部参数，一般在生产环节就已经确定，无法在应用中更改。而外接电容是指在PCBA板上与晶振频率输入脚与输出脚串联的电子元件，其值的大小由晶振负载电容与电路板杂散电容所决定。

1万 · 2024-1-6 19:41

晶振负载电容具有精密的谐振特性，其性能取决于系统的特点。在实际应用中，晶振负载电容的最重要的性能就是精密的谐振特性，其以恒定的数值来衡量，一般是在范围1-1000Hz之间进行测量。

1万 · 2024-1-6 19:50

实际应用中，除了外部明确并联的两个电容之外，还需要考虑以下因素：

IC内部电容：微控制器或相关集成电路的输入端口通常会有一定的寄生电容，这部分电容也需计入总负载电容计算。
PCB线路寄生电容：走线本身以及连接到晶振引脚的其他组件也会产生寄生电容效应。

只看该作者 · 2024-1-6 19:59

需要配置DMA_CCRx寄存器，包括输出传输模式、传输方向、外设和存储器的增量模式、外设和存储器的数据宽度、通道优先级和指针增量等参数。