Flash编程原理都是只能将1（默认为1）写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程。编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反.
闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的**单元数组内，在单阶存储单元（Single-level cell, SLC）设备中，每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元（Multi-level cell, MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储1比特以上的数据。
单层 Flash单元在默认状态代表二进制码中的“1”值。
闪存的一种限制在于即使它可以单一字节的方式读或写入，但是抹除一定是一整个区块。一般来说都是设置某一区中的所有比特为“1”，刚开始区块内的所有部分都可以写入，然而当有任何一个比特被设为“0”时，就只能借由清除整个区块来恢复“1”的状态。（即只能把1写0，不能把0写1，要把0写1只能通过檫除flash置1，然后从新写0）。 |
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