stm32cubeMX配置stm32h743 SDRAM

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SelfRefreshTime：自刷新周期，最小是42ns，所以设置为6。

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RowCycleDelay（tRC）：刷新命令和激活命令之间的延迟，最小值为60，所以设置为7。

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WriteRecoveryTime：写命令和预充电命令之间的延迟，在CL=3的情况下，最小是2个clk。

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RPDelay（tRP）：预充电命令与其它命令之间的延迟，最小15ns，所以此项设置为2。

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RCDDelay（tRCD）：激活命令与读/写命令之间的延迟，最小15ns，所以设置为2。

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配置情况如下：

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配置时钟树
STM32G070RB的最高主频到216M，使HCLK = 216Mhz即可：

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生成工程设置

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代码生成设置
最后设置生成独立的初始化文件：

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生成代码
点击GENERATE CODE即可生成MDK-V5工程：

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测试SDRAM读写
4.1. 编写SDRAM初始化代码
新建SDRAM驱动文件sdram_fmc_drv.h：

/**
*@file sdram_fmc_drv.h
*@brief 使用 FMC 操作 SDRAM
*@author  mculover666
*@date 2020-08-27
*@NOTE 此驱动测试 W9825G6KH SDRAM芯片通过
*/

#ifndef _SDRAM_FMC_DRV_H_
#define _SDRAM_FMC_DRV_H_

#include "fmc.h"

#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_2          ((uint16_t)0x0001)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_4          ((uint16_t)0x0002)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_8          ((uint16_t)0x0004)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL    ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_INTERLEAVED    ((uint16_t)0x0008)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_2             ((uint16_t)0x0020)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3             ((uint16_t)0x0030)
#define SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_PROGRAMMED ((uint16_t)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE    ((uint16_t)0x0200)

void SDRAM_Init(void);

#endif /* _SDRAM_FMC_DRV_H_ */

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然后在c文件中封装一个向SDRAM发送命令的函数：
static int SDRAM_SendCommand(uint32_t CommandMode, uint32_t Bank, uint32_t RefreshNum, uint32_t RegVal)
{
uint32_t CommandTarget;
FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;

if (Bank == 1) {
      CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
} else if (Bank == 2) {
      CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
}

Command.CommandMode = CommandMode;
Command.CommandTarget = CommandTarget;
Command.AutoRefreshNumber = RefreshNum;
Command.ModeRegisterDefinition = RegVal;

if (HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, 0x1000) != HAL_OK) {
      return -1;
}

return 0;
}

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最后实现SDRAM初始化的函数：
void SDRAM_Init(void)
{
uint32_t temp;

/* 1. 时钟使能命令 */
SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE, 1, 1, 0);

/* 2. 延时，至少100us */
HAL_Delay(1);

/* 3. SDRAM全部预充电命令 */
SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_PALL, 1, 1, 0);

/* 4. 自动刷新命令 */
SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE, 1, 8, 0);

/* 5. 配置SDRAM模式寄存器 */
temp = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |       //设置突发长度：1
                  SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL    |       //设置突发类型：连续
                  SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3          |       //设置CL值：3
                  SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |       //设置操作模式：标准
                  SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;             //设置突发写模式：单点访问
SDRAM_SendCommand(FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE, 1, 1, temp);

/* 6. 设置自刷新频率 */
/*
      SDRAM refresh period / Number of rows）*SDRAM时钟速度 – 20
   = 64000(64 ms) / 4096 *108MHz - 20
   = 1667.5 取值1668
*/
HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, 1668);
}

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编写SDRAM读写测试代码
接下来在main.c中添加SDRAM测试代码。

此测试代码来自安富莱电子。

① 引入SDRAM驱动头文件：

/* Private includes ----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN Includes */
#include <stdio.h>
#include "sdram_fmc_drv.h"
/* USER CODE END Includes */

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宏定义SDRAM的映射地址以及SDRAM的大小：
/* Private user code ---------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN 0 */
#define EXT_SDRAM_ADDR ((uint32_t)0xC0000000)
#define EXT_SDRAM_SIZE (32 * 1024 * 1024)

uint32_t bsp_TestExtSDRAM(void);
/* USER CODE END 0 */

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编写测试函数：
/* USER CODE BEGIN 4 */
/*
*********************************************************************************************************
* 函数名: bsp_TestExtSDRAM
* 功能说明: 扫描测试外部SDRAM的全部单元。
* 形参: 无
* 返回值: 0 表示测试通过；大于0表示错误单元的个数。
*********************************************************************************************************
*/
uint32_t bsp_TestExtSDRAM(void)
{
uint32_t i;
uint32_t *pSRAM;
uint8_t *pBytes;
uint32_t err;
const uint8_t ByteBuf[4] = {0x55, 0xA5, 0x5A, 0xAA};

/* 写SDRAM */
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
*pSRAM++ = i;
}

/* 读SDRAM */
err = 0;
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
if (*pSRAM++ != i)
{
err++;
}
}

if (err >  0)
{
return  (4 * err);
}

/* 对SDRAM 的数据求反并写入 */
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
*pSRAM = ~*pSRAM;
pSRAM++;
}

/* 再次比较SDRAM的数据 */
err = 0;
pSRAM = (uint32_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < EXT_SDRAM_SIZE / 4; i++)
{
if (*pSRAM++ != (~i))
{
err++;
}
}

if (err >  0)
{
return (4 * err);
}

/* 测试按字节方式访问, 目的是验证 FSMC_NBL0 、 FSMC_NBL1 口线 */
pBytes = (uint8_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
{
*pBytes++ = ByteBuf[i];
}

/* 比较SDRAM的数据 */
err = 0;
pBytes = (uint8_t *)EXT_SDRAM_ADDR;
for (i = 0; i < sizeof(ByteBuf); i++)
{
if (*pBytes++ != ByteBuf[i])
{
err++;
}
}
if (err >  0)
{
return err;
}
return 0;
}
/* USER CODE END 4 */

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在main函数中调用：
/* USER CODE BEGIN 2 */
printf("STM32F767 SDRAM Test By Mculover666\r\n");

SDRAM_Init();

printf("SDRAM W9825G6KH Init success\r\n");

if (bsp_TestExtSDRAM() == 0) {
printf("SDRAM Test success\r\n");
} else {
printf("SDRAM Test fail\r\n");
}
/* USER CODE END 2 */

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实验结果
编译，下载到开发板中，在串口助手中查看实验结果：

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. 直接指定变量存储到 SDRAM 空间
第4节中的测试方法是使用指针访问SDRAM空间，未免过于麻烦。在实际使用中，可以直接定义一个非常大的数组，将整个数组都存储到SDRAM上，然后动态的使用SDRAM内存空间。

要注意使用这种方法定义变量时，必须在函数外把它定义成全局变量，才可以存储到指定地址上。

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测试过程如下：

① 定义全局变量并指定绝对地址：

/* 绝对定位方式访问 SDRAM,这种方式必须定义成全局变量 */
uint8_t testValue __attribute__((at(EXT_SDRAM_ADDR)));