本帖最后由 yhf311 于 2012-5-29 08:37 编辑
非常感谢MCU52前辈在11楼的提点,根据您列的几点,我按照自己的理解,调整了顺序,先分析如下:由于D1并联于两个三极管的基极间,可等效于D1与串联的两发射结二极管并联,假设D1导通压降为0.7V,则在认为Q1,Q3参数相同情况下,发射结二极管压降均为0.35V,处于截至状态(11楼分析为临界导通,个人不解),这时候分析3点的电位就相对简单了,根据Q2,Q4的发射结连在一起,可以根据二极管伏安公式(IS*(EU-U2/UT-1)*R2+U2=IS*(EU-U4/UT-1)*(R3+R5)+U4),得到Q2与Q4的基极电流,,再假设两个管子放大倍数相同,就可以确定Q2,Q4发射极的电流(其中两个发射极的电流和已经算出约为1mA),接下来算得Q5的基极电流,再乘以Q5的放大倍数,算得Q5集电极电流。最后根据IR6=(IC2-0.7/10K)*HFE5=(15V-0.35V)/(R6+R7)解得电路中各个静态点工作电压和电流。
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