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推挽电路疑惑求解!

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楼主

上面是我用Multisim仿真的推挽电路的一部分截图。

1.我现在特别疑惑的是怎么也想不明白在Q1、Q2基极零输入的时候,为什么Q1、Q2发射极静态电位是7.31V。
按理说基极零输入,两个晶体管都截止,没有电流,电压该为零才对。
2.还有我想知道推挽输出电路是怎样改善了普通射极跟随电路在取出大电流(负载小)时导致底部切削失真的。除了这一个作用外,推挽输出电路还有什么优点?

求讨论,求解答~~

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沙发
big_crab|  楼主 | 2012-5-21 17:24 | 只看该作者
不好意思,第二个问题灵机一动已经想明白了。只求第一问~~

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nngogogo| | 2012-5-21 21:26 | 只看该作者
本帖最后由 nngogogo 于 2012-5-21 21:29 编辑

CE间也是有体电阻的

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地板
magic_yuan| | 2012-5-21 23:04 | 只看该作者
1# big_crab
三极管是有漏电流的。截止状态Q1,Q2等效两个大的电阻。MULTISIUM模型决定了中间电位的高低,大致一半,7V左右。

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5
big_crab|  楼主 | 2012-5-22 10:04 | 只看该作者
我知道三极管是有漏电流的。
      
但是假如我将Q1和Q2的基极同时接地,则Q1、Q2的发射极电压仅为200mv左右。所以我怀疑楼上的说法,这根本就不是什么漏电流引起的。
我想知道在Q1、Q2基极电压为7.5V时,Q1和Q2的详细工作情况,如其Vbe各为多少?电流是怎样流动的
现作如下猜想,不知对否?

刚上电时,Q1和Q2基极电压皆为7.5V,其发射极电压为0V,所以Q1导通,电流从电源流经Q1集电极到Q1发射极,但是由于Q2此时截止,所以电流不能流到地形成回路,电荷在发射极处累积,类似一个电容充电过程。期间Q1和Q2发射极电位逐渐升高,等到其电位上升到6.9V时,Q1的Vbe刚好为0.6V,之后Vbe电压逐渐减小Q1截止,发射极电位再稍许提升达到7.0—7.3左右。


以上分析不知对否?求解答~~

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6
Lgz2006| | 2012-5-22 10:24 | 只看该作者
在电路分析中,切忌将“理论电流为零时”的电压视为零!
通常应为“不确定”,本案可做7V左右.

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7
xmar| | 2012-5-22 15:21 | 只看该作者
本帖最后由 xmar 于 2012-5-22 15:26 编辑

"......按理说基极零输入,两个晶体管都截止,没有电流,电压该为零才对。"
假设Q1、Q2的c、e电阻非常大,比如1000M欧,甚至更大,只要Q1、Q2的c、e电阻相同,其Q1、Q2发射极e的电位还是VDD电位的一半15/2 = 7.5V. 何来电压该为零之说?进一步把Q1、Q2更换成两个容量相当的电容,比如100pF,此时Q1、Q2发射极e的电位还是VDD电位的一半15/2 = 7.5V。
楼主再看看电压的基本概念就知道了。

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8
big_crab|  楼主 | 2012-5-22 16:24 | 只看该作者
7# xmar
尊敬的7楼,
首先,现在测量的结果可不是您预测的7.5V,而是小于7.5V,约为7.3V(我试过超过十种以上的PNP三极管)。
其次,我更正一下,原帖中我的意思是基极在无交流信号只保留直流偏置时Q1、Q2均截止,交流无电流(微乎其微)。如我在5楼的回帖,当电路去掉基极直流偏置双双接地时,发射极电压仅仅数百毫伏,这也就推翻了您帖子中关于大电阻只要相等电压必为7.5V的论断。所以以我之愚见,射极电压的形成根本不是您所认为的集电极发射极漏电流所引起的。详细请看我在5楼的推断。

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9
big_crab|  楼主 | 2012-5-22 16:28 | 只看该作者
6# Lgz2006
做学问一定要严谨,不怕失败,不怕被人嘲笑。拒绝“差不多”“不确定”

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10
gx_huang| | 2012-5-22 16:37 | 只看该作者
先不管准确的电压是多少,但是可以肯定,由于PN结的嵌位,是在7.5V正负0.6V以内。
至于具体多少,就不要去想这个问题。
实际电路,要么EB结有偏置,要么负载端接了负载,电压会确定的。

就好比GPIO设置为输入,电压到底多少呢?

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11
xmar| | 2012-5-22 17:02 | 只看该作者
本帖最后由 xmar 于 2012-5-22 17:05 编辑

1.  5楼电路Q1截止,但Q2不截止,恰恰相反Q2导通。仅数百毫伏正常呀。这无法推翻了我帖子中关于大电阻只要相等电压必为7.5V的论断。

2. 其实我的意思是:
一般而论。设Q1的c、e阻抗为z1,Q2的c、e阻抗为z2, Q1、Q2发射极电压为Ve,根据电路分压定理,有:
Ve = VDD * z2 / (z1 + z2) = VDD / (1 + z1/z2); 当z1 -> ∞, z2 -> ∞时,已经假设 z1, z2 要么是电阻,要么是容抗,阻抗属性相同,因此,z1/z2 -> '有限常数‘。故:0 < Ve < VDD总是成立. 如果z1/z2 -> 1, Ve = VDD / 2 = 7.5V 不过是其特例。

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12
xmar| | 2012-5-22 17:11 | 只看该作者
两个变量都趋近于无穷大时 ∞,  两个无穷大的比 ∞/ ∞ 不一定是无穷大 ∞。

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13
mas888| | 2012-5-22 18:06 | 只看该作者
也想弄明白这个问题

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14
mas888| | 2012-5-22 18:07 | 只看该作者
也想弄明白这个问题

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15
Lgz2006| | 2012-5-22 19:54 | 只看该作者
差点被误导

1205211717577a1cf538a4b947.png (12.5 KB )

1205211717577a1cf538a4b947.png

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fzyuan| | 2012-5-22 21:32 | 只看该作者
还好是仿真,实际这2个管子早就飞了。

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17
big_crab|  楼主 | 2012-5-23 09:59 | 只看该作者
15# Lgz2006
十五楼你好,
虽然双极型晶体管是由两个PN结构成,从理论上讲,基极发射极之间可类比于二极管,但是你要知道晶体三极管不是二极管,三极管基区很薄且掺杂浓度低,发射区掺杂浓度高,其工作情况比二极管复杂得多。
如果真如阁下图中所示,那愚蠢的人类还发明三极管干什么,直接用两个二极管不就完了。

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18
big_crab|  楼主 | 2012-5-23 10:09 | 只看该作者
16# fzyuan
16楼你好,
我很愿意请教你讲给我听两只管子飞掉的详细过程。比如,刚上电,两只管子分别工作在什么状态,之后又发生了什么变化等。
但是我不得不遗憾的告诉你,该图是我按照铃木雅臣所著的《晶体管电路设计》上册P54 图3.7推挽射极跟随器电路而画的,同时仿真效果也完全与书中照片3.9的波形类似。如果和书中有什么不同的话,那我觉得就是三极管型号了,因为我的元件库里找不到书中作者所用的晶体管,就选了同类型的替代。

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19
big_crab|  楼主 | 2012-5-23 10:22 | 只看该作者
这里我罗嗦一点题外话。首先我这人比较顽固,爱钻牛角尖。我觉着做学问还是顽固一点比较好。我看到好几个人回帖。我欢迎各种观点,只要你能自圆其说,让人信服。我可以和你持不同的观点,但我一样欣赏并尊重你。但是如果你怀着娱乐的心态一味的调戏本贴,我则贱之。不管你什么观点,请道出个子丑寅卯来。

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20
big_crab|  楼主 | 2012-5-23 10:31 | 只看该作者
现在来看,有人认为在直流偏置状态下Q1、Q2发射极电位7.3V左右是由集电极发射极漏电流流过Q1、Q2分压引起。我想知道如果事实真如此,那从刚上电开始Q1、Q2各自工作在什么状态,期间又发生了怎样的变化。期待有人解惑。

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