G32A1445芯片的Flash模块介绍

只看该作者 · 2024-9-9 18:27

本帖最后由 guiyan 于 2024-9-23 09:46 编辑

前言
本文旨在介绍G32A FLASH模块的常用使用功能。
一、组成结构及其用途简介
组成结构：

PFlash：Program flash, 8KB Sector
CFGNVM ：Configurable Nonvolatile memory , 4KB Sector。包含DFlash和EEPROM备份区。
CFGRAM

   用途简介：
         PFlash：用来存储代码, 并包含16-byte 的Flash配置区域: 0x400 – 0x40F
         DFlash ：存储代码或者存储数据
         EEPROM Backup：备份存储EEPROM的数据，掉电后不丢失
         RAM：作为传统RAM使用，例如Program Section command 编程
         EERAM：用作模拟EEPROM，用户可进行单字节读写

二、使用功能介绍          1.编程：通过指令的形式，对Flash模块进行擦除或编程
      命令如下：

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*!

 * [url=home.php?mod=space&uid=247401]@brief[/url] Operation Commands

 */

#define FTFx_VERIFY_BLOCK                             0x00U

#define FTFx_VERIFY_SECTION                          0x01U

#define FTFx_PROGRAM_CHECK                       0x02U

#define FTFx_READ_RESOURCE                         0x03U

#define FTFx_PROGRAM_LONGWORD             0x06U

#define FTFx_PROGRAM_PHRASE                      0x07U

#define FTFx_ERASE_BLOCK                               0x08U

#define FTFx_ERASE_SECTOR                             0x09U

#define FTFx_PROGRAM_SECTION                    0x0BU

#define FTFx_VERIFY_ALL_BLOCK                      0x40U

#define FTFx_READ_ONCE                                  0x41U

#define FTFx_PROGRAM_ONCE                         0x43U

#define FTFx_ERASE_ALL_BLOCK                       0x44U

#define FTFx_SECURITY_BY_PASS                      0x45U

#define FTFx_PFLASH_SWAP                               0x46U

#define FTFx_ERASE_ALL_BLOCK_UNSECURE  0x49U

#define FTFx_PROGRAM_PARTITION                  0x80U

#define FTFx_SET_EERAM                                      0x81U

2.只能在RUN模式下，才能进行Flash擦除或编程。而在HSRUN, VLPR模式下，只能读。

   3.Flash配置区域

         0x400~0x407：存储器8个字节的后门解密秘钥(backdoor key)，用于使能后门解密时临时解密MCU；
         0x408~0x40B：PFlash保护配置；
         0x40C：Flash加密配置；
         0x40D：Flash非易失选项配置字节；
         0x40E：EEPROM保护配置字节；
         0x40F：D-Flash保护配置字节；
         在复位过程中，由硬件自动加载到FLASH模块相应寄存器当中。

   4.只能编程一次的区域
         0x3C0 – 0x3FF区域，存在64-bytes，每个芯片只允许编程一次，且不能擦除，可以自由读取。
         可通过命令FTFx_PROGRAM_ONCE 进行一次编程，通过命令FTFx_READ_ONCE 进行读取。
   5.同时读写操作
         若执行的代码和需要编程/擦除的扇区是属于同一个区域的话，则器件是不允许该操作的。
         详细情况，请参考下图所示：

         把执行命令的函数，加载到SRAM中运行。
         这样，在执行命令操作的时候，是在SRAM中读取代码，同时对Pflash/Dflash执行编程或者擦除。

可参考以下示例：

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FUNCTION_DEFINITION_AT_RAMSECTION_START

static STATUS_T FLASH_CommandSequence(const FLASH_SSD_CONFIG_T * ssdCfg)

{

    ...

    ...

}

FUNCTION_DEFINITION_AT_RAMSECTION_END

    6.Dflash和EEPROM分区
         Flash模块很重要的特性，就是DE分区。
         在下图所示，可以将CFGNVM的DFlash区域和EEPROM备份区域配置成不同大小。
         若是进行模拟EEPROM分区配置后，则需要把CFGRAM配置成EERAM功能，然后往EERAM进行单字节写入，
         器件会把数据备份到EEPROM备份区。以此，可以实现EEPROM单字节写入的功能。

Partition Code	Data flash size(KB)	EEPROM backup size(KB)
0x0000	64	0
0x0011	32	32
0x0100	0	64
0x1000	0	64
0x1010	16	48
0x1011	32	32
0x1100	64	0
0x1111	Default	/

三、结语
关于G32A器件的Flash模块，本节学习内容已介绍完毕。
若大家发现有趣的知识点或应用，可以在这里分享分享哈！