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[STM32F3] 预取缓冲区和缓存系统

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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:11 | 显示全部楼层
分页写入：减少擦除操作，批量写入数据。
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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:11 | 显示全部楼层
使用 ART 加速器：在 STM32F7/H7 系列中使用 ART 加速器加速 Flash 读取。
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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:11 | 显示全部楼层
双缓冲机制：通过软件方式减少写入操作对系统其他部分的影响。
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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:11 | 显示全部楼层
DMA 加速内存拷贝：虽然 DMA 不能直接写入 Flash，但能加速数据准备。
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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:11 | 显示全部楼层
禁用中断：减少中断带来的干扰，提高写入效率。
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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:12 | 显示全部楼层
禁用中断：减少中断带来的干扰，提高写入效率。
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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:12 | 显示全部楼层
外部高速 Flash：在对写入速度要求特别高的应用中考虑使用外部 Flash。
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 楼主| 初级工程渣 发表于 2024-9-30 18:12 | 显示全部楼层
通过组合以上技巧，可以在 STM32 应用中优化 Flash 写入速度，提高系统的整体性能。
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wangtaohui 发表于 2024-10-2 20:47 来自手机 | 显示全部楼层
Flash 存储的写入过程本身较慢，特别是在频繁写入大数据时
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