FLASH和SRAM的区别

发表于 2024-11-9 18:10

Flash通常占据单片机地址空间的较低地址，用于存放启动代码和用户程序。
SRAM则占据较高的地址空间，位于Flash和外设寄存器之间。

发表于 2024-11-9 19:49

SRAM（静态随机存取存储器）主要用于存储临时数据和变量。在单片机运行过程中，SRAM用来存放那些需要快速访问的数据。

发表于 2024-11-9 22:04

SRAM 的内部结构主要由存储单元（通常是基于触发器）、读写控制电路等组成。SRAM 的每个存储单元需要使用多个晶体管来实现快速的读写功能，这使得它的单位面积成本较高。不过，随着技术的发展，成本也在逐渐降低。

发表于 2024-11-10 10:59

FLASH的写入次数有限，通常在几万到几十万次左右。这是因为FLASH的写入操作是基于电擦除的，长期使用会导致存储单元退化。

发表于 2024-11-10 17:40

FLASH具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点，但存在块擦除次数有限、读写干扰和电荷泄漏等问题。
SRAM访问速度快，但容量相对较小，且掉电后数据会丢失。

发表于 2024-11-10 19:58

SRAM 的容量通常比 FLASH 小。一般的单片机 SRAM 容量可能从几百字节到几十 KB 不等。因为 SRAM 成本较高，且其主要功能是存储临时数据，所以不需要像 FLASH 那样大的容量。例如，一个小型的控制应用可能只需要几 KB 的 SRAM 来存储变量和中间结果。

发表于 2024-11-11 11:24

FLASH存储器在单片机中扮演着程序存储的角色，适合需要长期保存数据的应用场景。
SRAM则类似于计算机的内存，用于存储在程序执行过程中产生的临时数据，强调快速读写和高效的数据处理能力。

发表于 2024-11-11 16:52

Flash是一种非易失性存储器，基于浮栅存储原理，通过电荷存储来记录数据。Flash的写入操作需要先擦除整个块或页，然后再进行编程。
SRAM是一种易失性存储器，基于双稳态存储单元，通过晶体管的开关状态来存储数据。SRAM可以直接对任意地址进行读写操作，无需擦除和编程步骤。

发表于 2024-11-12 12:00

SRAM的读写速度非常快，是目前读写速度最快的存储设备之一

发表于 2024-11-12 16:25

SRAM 主要用于程序运行时的数据存储。

发表于 2024-11-13 09:30

Flash是非易失性存储器，掉电后数据可以长期保持；而SRAM是易失性存储器，掉电后数据会丢失。

发表于 2024-11-13 13:59

在单片机中，FLASH 的容量一般相对较大。例如，一些简单的 8 位单片机可能有几 KB 到几十 KB 的 FLASH，而像 STM32F1 系列的单片机，FLASH 容量可以达到 64KB 甚至更大。这使得它能够存储较长的程序代码，满足复杂功能的程序需求。

发表于 2024-11-13 17:05

FLASH 这是一种非易失性存储器，意味着即使断电，存储在FLASH中的数据也不会丢失。
SRAM 这是一种易失性存储器，断电后存储在SRAM中的数据会丢失。

发表于 2024-11-13 19:26

FLASH
适用于速度要求高、容量要求大、掉电时要求数据不丢失的场合。
常用于存储程序代码、配置文件和需要长期保存的数据。
SRAM
适用于对读写速度要求非常高的场合。
常用于存储临时数据，如单片机运行过程中的全局变量、局部变量等。

发表于 2024-11-13 19:32

闪存和sram在单片机中起着互补的作用

发表于 2024-11-14 16:05

Sram通常用于在程序执行期间存储中间变量和临时数据，因为它的读写速度很快

发表于 2024-11-14 18:15

SRAM 是一种易失性存储器，一旦断电，存储在其中的数据就会丢失。它主要用于存储单片机运行过程中的临时数据，比如函数的局部变量、CPU 运算的中间结果等。例如，在一个简单的加法运算函数中，两个操作数和运算结果在函数执行过程中可能就存储在 SRAM 中。
SRAM 的读写速度非常快，它可以在一个时钟周期或者几个时钟周期内完成数据的读写操作，能够快速地为单片机的 CPU 提供数据支持。

发表于 2024-11-14 19:09

SRAM存储器是一种易失性存储器，这意味着一旦断电，存储在SRAM中的数据将会丢失

发表于 2024-11-14 22:07

Sram主要用于程序执行过程中的数据存储。

发表于 2024-11-16 09:41

闪存是一种非易失性存储器，在断电后可以长时间保留数据，而sram是一种易失性存储器，在断电后会丢失数据。

[STM32F4] FLASH和SRAM的区别

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