Flash 存储模拟 EEPROM

只看该作者 · 2024-12-9 16:39

为了模拟 EEPROM 功能，通常会将 Flash 存储的一个区域划分为 EEPROM 存储区域，并使用特定的算法来模拟写入和擦除行为。一个常见的做法是使用环形缓冲区或者写入新数据后标记过期数据，防止频繁擦写导致的 Flash 过早损坏。

EEPROM 模拟算法
环形缓冲区：为模拟 EEPROM，我们可以为 Flash 存储区域划定一个固定大小的“EEPROM”区域，然后通过轮替方式存储数据。当 EEPROM 空间满时，可以覆盖最旧的数据。
标记过期数据：每次写入新数据时，可以在 Flash 中为每个数据块添加一个有效性标记（如 CRC 校验、时间戳等），在读取数据时判断其有效性。

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数据写入与读取
可以通过预定义的写入函数来将数据存储到 Flash 中的特定区域。使用一个较为简便的地址分配方式，可以模拟 EEPROM 的字节级读写。一般来说，我们会先检查该地址是否有有效数据，如果没有，则写入新数据；如果已有数据，则覆盖或者选择下一个地址。

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代码示例：模拟 EEPROM 写入
c
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#define EEPROM_START_ADDR 0x0801F800  // 假定 Flash 的 EEPROM 起始地址
#define EEPROM_SIZE    1024       // EEPROM 模拟大小（1KB）

// 模拟 EEPROM 写入
HAL_StatusTypeDef EEPROM_Write(uint32_t eepromAddress, uint8_t data) {
if (eepromAddress >= EEPROM_START_ADDR && eepromAddress < (EEPROM_START_ADDR + EEPROM_SIZE)) {
      // 如果地址在模拟 EEPROM 范围内
      return Flash_Write(eepromAddress, data);
}
return HAL_ERROR;  // 地址越界
}

// 模拟 EEPROM 读取
uint8_t EEPROM_Read(uint32_t eepromAddress) {
if (eepromAddress >= EEPROM_START_ADDR && eepromAddress < (EEPROM_START_ADDR + EEPROM_SIZE)) {
      return Flash_Read(eepromAddress);
}
return 0xFF;  // 返回一个默认值表示未找到有效数据
}

只看该作者 · 2024-12-9 16:40

数据擦除与重写
在 Flash 模拟 EEPROM 时，擦除操作应谨慎进行。我们通常会在某些特定条件下（如设备重启时）执行擦除。一般来说，只要数据有效，就避免对 Flash 进行擦除操作。

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代码示例：擦除模拟 EEPROM 区域
c
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// 擦除 EEPROM 存储区域
HAL_StatusTypeDef EEPROM_Erase(void) {
return Flash_Erase(EEPROM_START_ADDR); // 擦除从 EEPROM 起始地址开始的 Flash 区域
}