电源MOS管的驱动电路

发表于 2025-4-14 10:43

MOS管的栅极需要瞬间大电流来快速充放电，以实现快速开关。使用专用的MOSFET驱动芯片可以提供较大的瞬间驱动电流，提高开关速度，减少开关损耗。

发表于 2025-4-14 12:36

MOS管栅极高输入阻抗，易受静电或干扰影响而误触发。建议在栅极与源极之间并联10kΩ左右的电阻，降低输入阻抗，提高抗干扰能力。

发表于 2025-4-14 13:39

防止过压、过流对驱动电路和MOS管的损害。

发表于 2025-4-14 14:23

适用于小功率或对开关速度要求不高的场合。直接将驱动信号加到MOS管的栅极上，但需要注意驱动电路与功率电路之间的电气隔离。

发表于 2025-4-14 15:03

上下管死区时间控制，避免直通。

发表于 2025-4-14 15:22

通过光耦合器实现控制信号与驱动信号的隔离传输，适用于需要隔离的场合。但

发表于 2025-4-14 16:15

利用脉冲变压器或专用的隔离驱动器实现信号的隔离传输，具有较高的响应速度和良好的抗干扰能力

发表于 2025-4-14 17:08

快速开关可能会产生电磁干扰（EMI），需要采取适当的措施，如增加滤波电容、使用屏蔽线等，以减少EMI对电路和其他设备的影响。

发表于 2025-4-14 17:36

栅源极并联TVS二极管

发表于 2025-4-14 17:47

多颗MOS管交替导通，减少电流纹波

发表于 2025-4-14 18:23

在栅极和源极之间并联一个TVS二极管，可以吸收瞬态高压，保护MOS管免受击穿损坏

发表于 2025-4-14 19:17

功率地与信号地分开，通过磁珠连接。

发表于 2025-4-14 19:27

在栅极串联约10Ω的电阻，可以降低驱动回路的Q值，防止LC振荡和过冲，避免MOS管因振荡导致的过热或损坏

发表于 2025-4-14 20:06

高速切换降低体二极管导通损耗。

发表于 2025-4-14 21:05

驱动芯片的旁路电容应尽可能靠近其VCC和GND引脚，以降低走线电感对瞬间电流的影响，确保驱动芯片稳定输出。

发表于 2025-4-14 21:17

驱动电压需匹配MOS管的阈值电压（Vgs(th)）和最大额定值。若电压过低，MOS管无法完全导通；若电压过高，可能击穿栅极氧化层。需参考MOS管手册，确保驱动电压在安全工作范围内。

发表于 2025-4-15 20:30

优化布局与并联吸收元件。

发表于 2025-4-16 13:32

信号线要靠近地线走，减少干扰，就像给信号穿件防干扰衣服。

发表于 2025-4-19 10:05

电容可能导致mos管无法正常开关，小心选型。

发表于 2025-4-22 17:24

减小栅极驱动电流，提高驱动速度，或选用快速恢复mos管。

[技术问答] 电源MOS管的驱动电路