电源MOS管的驱动电路

发表于 2025-4-9 20:03

当电源IC的驱动能力不足时，可以采用推挽驱动或使用专用的驱动芯片，以提高驱动电流，加快开关速度

发表于 2025-4-9 23:07

减小驱动回路的面积，可以减少寄生电感和电容，降低电磁干扰，提高电路的抗干扰能力

发表于 2025-4-10 02:08

在设计驱动电路时，需要注意MOS管的最大漏源电压、栅源电压和漏极电流限制，避免因过压或过流导致MOS管损

发表于 2025-4-10 14:02

MOS管的栅极与源极之间存在结电容，需通过驱动电路提供足够的瞬间电流实现快速充放电。驱动电流不足会导致开关速度变慢，增加开关损耗。建议选用专用的MOSFET驱动芯片（如TC4420），这类芯片具备大电流输出能力，可缩短栅极电压变化时间。

发表于 2025-4-10 17:45

驱动芯片的旁路电容应尽量靠近VCC和GND引脚，保证电流输出

发表于 2025-4-10 21:25

MOS管都是做开关使用吗

发表于 2025-4-10 21:48

驱动IC作为驱动器来驱动MOS管，有哪些优势

发表于 2025-4-11 12:23

小功率电源（50W以内）的MOS管驱动电路只需要一个驱动电阻Rg，那这个电阻的阻值一般怎么选

发表于 2025-4-11 12:46

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]对于中小型功率电源（50W到500W），开通电阻Rg(on)和关断电阻Rg(off)分开有什么好处

发表于 2025-4-11 16:01

一般简单的处理方式会在MOS管的GS之间增加一组RC电路，通过调整RC参数来调整MOS管米勒平台内振荡的问题。

发表于 2025-4-11 22:58

不同功率段的电源，MOS管驱动电路设计的主要区别是什么

发表于 2025-4-12 23:01

需要在驱动电路和功率电路之间加入隔离措施

发表于 2025-4-13 10:55

为了快速充放电MOS管的栅极电容，实现快速开关，降低开关损耗，驱动电路需要提供足够的瞬态驱动电流

发表于 2025-4-13 12:52

在Buck电路等应用中，需要设置适当的死区时间，以防止上下桥直通导致短路。死区时间太长会影响最大占空比，太短则可能导致直通。

发表于 2025-4-13 13:47

驱动电路必须能够提供足够的峰值电流来快速对MOS管的栅极电容进行充放电，以实现快速的开关速度。

发表于 2025-4-13 14:40

在栅极和源极之间并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管，可以吸收瞬间的干扰脉冲，防止MOS管因高压击穿。

发表于 2025-4-13 17:11

MOS管导通延迟大，开关损耗高。

发表于 2025-4-13 17:38

保护电路如欠压关断、过流保护等也是必要的，以防止在异常情况下损坏MOS管或驱动电路。

发表于 2025-4-13 21:04

减少栅极振荡和电压尖峰。

发表于 2025-4-14 08:01

电感和电容的大小会影响输出电压的稳定性和转换效率。电感过大或过小都会影响电路性能，电容过大或过小也会影响输出电压的响应速度和稳定性。

[技术问答] 电源MOS管的驱动电路