STM32如何处理Flash内存的写入和擦除？

发表于 2025-2-28 23:10

STM32中Flash写入和擦除的最佳实践是什么？如何避免擦写过程中的问题？

发表于 2025-3-2 08:11

STM32F7 的 Flash 擦写需要先解锁 Flash 控制器 (FLASH->KEYR)，然后才能执行擦除和写入操作，你现在是用 HAL 库还是直接操作寄存器？

发表于 2025-3-2 08:13

Flash 写入只能从 1 变 0，不能直接改成 1，如果要修改数据，需要先擦除整个扇区，你的应用是频繁更新数据，还是偶尔写入？

发表于 2025-3-2 08:14

STM32F7 的 Flash 采用 128KB 扇区结构，擦除单位较大，建议使用 EEPROM 仿真或者外部存储来减少 Flash 擦写的次数。

发表于 2025-3-2 08:15

在擦写过程中，CPU 访问 Flash 会被阻塞，导致程序暂停执行，建议在擦除时使用 ART Accelerator 缓存关键代码，或者在 RAM 里运行。

发表于 2025-3-2 08:16

你是写代码存储，还是存数据？如果是存数据，建议用双缓冲或者“磨损均衡”算法，避免某个扇区的 Flash 过早损坏。

发表于 2025-3-2 08:18

STM32F7 的 Flash 擦除是按扇区进行的，而写入是按双字（64-bit）操作的，写入前要确保地址是 64-bit 对齐的，否则可能会报错。

发表于 2025-3-2 08:19

Flash 擦除耗时较长（几毫秒到几十毫秒），建议在擦除前禁用中断，或者使用 HAL_FLASH_Program_IT() 进行中断写入，提高系统实时性。

发表于 2025-3-2 08:20

如果 Flash 操作失败，检查 FLASH->SR 里的 PGSERR、WRPERR 和 OPERR 错误标志，这些能帮你快速定位问题。

发表于 2025-3-2 08:21

你是否需要在运行时更新固件？如果是，建议用双分区（A/B 分区）升级策略，避免固件更新过程中断导致系统崩溃。

发表于 2025-3-2 08:22

高温、低压环境可能会影响 Flash 的可靠性，建议在关键应用中定期进行 Flash 校验，并适当增加错误恢复机制，比如备份数据块。

发表于 2025-3-24 01:23

在STM32微控制器中进行Flash写入和擦除操作时，遵循最佳实践可以避免许多常见问题

发表于 2025-3-24 02:23

其实Flash存储器被划分为多个扇区，每个扇区可以独立擦除。某些STM32型号的Flash存储器进一步划分为页，页是写入的最小单位。在进行Flash写入或擦除操作前，需要解锁Flash控制寄存器

发表于 2025-3-24 03:23

一定要注意的是，擦除操作以扇区为单位进行。擦除前需要确保目标扇区未被保护。写入操作以字（32位）或半字（16位）为单位进行。完成写入或擦除操作后，锁定Flash以防止意外修改

发表于 2025-3-24 04:34

我觉得比较好的是，在写入或擦除操作后，建议进行数据验证以确保操作成功

发表于 2025-3-24 05:34

电源稳定性，确保在Flash操作期间电源稳定，避免电压波动

发表于 2025-3-24 06:36

中断管理，在Flash操作期间禁用中断，以防止干扰

发表于 2025-3-24 07:29

数据对齐，确保写入的数据对齐到正确的边界（字或半字）

发表于 2025-3-24 08:29

扇区保护，避免擦除或写入受保护的扇区

发表于 2025-3-24 09:27

操作顺序，先擦除后写入，确保目标区域已擦除

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