PWM控制NMOS开关电路发热一般是怎么回事？

发表于 2025-11-5 15:15

PWM 控制 NMOS 开关电路发热，核心是 NMOS 未工作在理想开关状态，存在额外功耗。
主要原因有三点：一是 NMOS 选型不当，导通电阻（Rds (on)）过大，通流时焦耳热增加；二是驱动不足，栅极电压不够，导致 NMOS 未完全导通，处于半导通状态；三是 PWM 频率过高，开关损耗（导通 / 关断瞬间的电压电流交叠损耗）累积，尤其高频场景更明显。

发表于 2025-11-18 15:29

主要原因
开关频率过高或死区时间设置不合理，增加开关损耗。
NMOS 导通电阻过大，或驱动电压不足导致未完全导通，导通损耗增加。
驱动电路能力弱，开关速度慢，过渡过程损耗上升。
负载电流过大，超出 NMOS 额定规格，或散热设计不足。

发表于 2025-11-18 15:30

PWM 控制 NMOS 开关电路发热，主要因损耗过大：开关频率过高或死区时间不合理，导致开关损耗增加；驱动电压不足使 NMOS 未完全导通，导通电阻变大，导通损耗上升；负载电流超额定值，或散热不良，也会加剧发热。需针对性参数并强化散热。

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