在STM32L5中以双存储体模式将负值存储在内部闪存中

发表于 2025-6-9 03:00

用stm32L5编写应用程序，必须在双存储体模式下将负浮点值和正浮点值存储在内部闪存中。

先把这一页闪存擦掉，然后再写。

对于正值，很好处理。但是负值有问题。

由于库只允许存储无符号整数，我将数据值乘以10，将其转换为整数，在读取数据后，我将其除以10。

问题是，如何在内部闪存中存储负值。有没有更好的有效方法，不用乘和除以浮点数的倍数。

发表于 2025-7-2 09:01

STM32L5的内部闪存支持双存储体模式，允许将闪存划分为两个独立的存储区域，常用于程序更新或数据存储

发表于 2025-7-2 10:56

每个存储体可以独立擦除和写入，注意写入操作必须按半字或全字对齐

发表于 2025-7-2 13:23

最小擦除单位为页，通常为1KB或2KB

发表于 2025-7-2 13:31

在写入数据前，必须先擦除目标页。擦除操作以页为单位，且擦除后所有字节变为0xFF

发表于 2025-7-2 13:48

读取的值与原始负值不符的时候可以检查补码转换是否正确，确保数据类型与存储模式匹配。

发表于 2025-7-2 13:59

STM32L5的内部闪存容量有限，需避免频繁擦写导致寿命降低

发表于 2025-7-2 15:52

需确保负值的二进制表示正确，且存储地址符合对齐要求

发表于 2025-7-2 15:52

负值在内存中以补码形式存储。例如，[size=0.875]-1的16位补码为0xFFFF

发表于 2025-7-2 20:36

如果使用半字存储，地址必须是偶数；如果使用全字存储，地址必须是4的倍数

发表于 2025-7-3 16:11

在擦除或写入过程中，建议禁用中断以避免操作冲突

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