MOS管开关电路

发表于 2025-9-14 10:08

在开关过程中，MOS管会有一定的功率耗散，特别是在开关频率较高时。需要确保MOS管有足够的散热措施，如散热片或风扇。

发表于 2025-9-14 11:44

上下管需插入死区时间（PWM信号不同时导通），避免直通电流

发表于 2025-9-14 16:50

提供足够电流，抑制米勒效应，避免误导通

发表于 2025-9-14 17:15

需添加防反接电路（如PMOS+检流电阻），防止负载反接导致电流倒灌

发表于 2025-9-14 17:39

必须大于电路中最大工作电压的 1.5~2倍（留足安全余量），防止电压尖峰击穿。

发表于 2025-9-14 18:21

选择导通电阻低的MOS管以减少导通损耗。

发表于 2025-9-14 18:42

根据电压、电流、开关频率选择合适的MOS管

发表于 2025-9-14 19:54

每个MOS管源极串联小磁珠或电阻强制均流。

发表于 2025-9-14 20:56

合理布局电路，尽量缩短高频信号路径，减少寄生电感和电容，降低噪声和干扰。

发表于 2025-9-14 21:22

多个MOS管直接并联可能因制造公差导致电流分配不均。

发表于 2025-9-16 20:18

开关频率越高，开关损耗越大。选择合适的开关频率，以平衡效率和损耗。

发表于 2025-9-16 21:18

MOS管的栅极电容需要较大的瞬间驱动电流来快速充放电，以提高开关速度。使用专用的MOSFET驱动芯片可以提供足够的驱动电流。

[应用方案] MOS管开关电路