其 Flash 擦写次数和数据保持能力是多少？

发表于 2025-11-9 09:03

Flash擦写次数不低于1万次‌

发表于 2025-11-9 11:37

华大电子MCU的Flash擦写次数和数据保持能力可能会有所不同

发表于 2025-11-9 13:47

未明确列出这两个系列的Flash擦写次数及数据保持能力。

发表于 2025-11-9 15:54

在10,000次擦写后，在+55摄氏度的保存环境下，数据保持期限可达20年。

发表于 2025-11-9 17:39

不同厂商的Flash IP设计和制造工艺也有差异。

发表于 2025-11-9 19:41

在正常工作温度下，Flash存储器的数据保持能力可达10至20年。

发表于 2025-11-9 21:45

建议访问华大电子官方网站查找相关产品文档

发表于 2025-11-10 07:55

Flash（闪存）的擦写次数和数据保持能力并非固定值，核心取决于其类型（NOR/NAND）、存储单元技术（SLC/MLC/TLC/QLC）、工作环境等因素

发表于 2025-11-10 19:54

数据保持能力通常在20年左右。

发表于 2025-11-10 21:39

擦写次数‌：10万次‌

发表于 2025-11-11 08:38

在1万到10万次之间。

发表于 2025-11-11 15:16

在计量场景下，考虑到数据的频繁更新和写入，10万次的擦写寿命应该是足够的。

发表于 2025-11-20 18:19

这对于长期存储需求是完全满足的。

[CIU32L071系列] 其 Flash 擦写次数和数据保持能力是多少？