芯控源 AGM30P110D 是一款 30V 138A P 沟道 MOS 管，为负载开关与电池保护等低压大电流场景定制。规格相关情况如下：
芯控源 AGM30P110D 技术参数：・耐压 (V)：-30・连续漏极电流 (A)：-138（Tc=25℃）、-90（Tc=100℃）・PMOS 导通电阻 (mΩ)：2.9（典型值，@VGS=-10V, ID=-25A）、3.9（最大值，@VGS=-10V, ID=-25A）；6.9（典型值，@VGS=-4.5V, ID=-10A）、9.9（最大值，@VGS=-4.5V, ID=-10A）・功率耗散 (W)：158（Tc=25℃）、55.5（Tc=100℃）・热阻 (Rth (j-c), K/W)：0.9（典型值）・封装：TO-252・电路结构：P 沟道单管集成
其特征：采用先进高密度单元 Trench-MOS 工艺；-65℃~+150℃ 宽温工作；100% EAS 保证、100% VDSS 测试；低栅极电荷设计（Qg=-23nC @VGS=-10V），开关损耗低；兼容绿色器件标准。优势：相比同封装竞品导通损耗降低超 25%；TO-252 封装适配多种电路布局需求；适配相关应用场景，支持高效电路运作；通过严格可靠性测试，保障使用稳定性。可应用在负载开关与电池保护、MiVGA Core 模块、SMPS 二次同步整流电路、POL 应用、BLDC 电机驱动等低压大电流场景！
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