NMOS一共有三个工作区，其工作状态由 VGS 和 VDS 共同决定。判断流程如下：
1. 截止区
条件：VGS < Vth
物理状态：栅极电压不足以形成导电沟道。源极和漏极之间被背对背的PN结隔开，没有电流通道。
电流：IDS ≈ 0
等效电路：断开的开关。
应用：数字电路中的“关”态，逻辑0。用于切断电路。
2. 线性区
条件：VGS > Vth 且 VDS < (VGS - Vth)
物理状态：沟道已经形成，并且从源端到漏端都完整存在。VDS 的电场帮助电子从源极流向漏极。
电流特性：IDS 同时依赖于 VGS 和 VDS。可以将其想象为一个由 VGS 控制的可变电阻。
电流公式：IDS ≈ β * [ (VGS - Vth) * VDS - (1/2) * VDS² ]
当 VDS 非常小（远小于 VGS-Vth）时，公式可简化为 IDS ≈ β * (VGS - Vth) * VDS。此时，IDS 与 VDS 呈线性关系，故得名“线性区”。
等效电路：一个受 VGS 控制的电阻。
应用：用作模拟开关（传输门）；在数字电路中，当晶体管作为开关导通时，最初也工作在此区域。
3. 饱和区
条件：VGS > Vth 且 VDS ≥ (VGS - Vth)
物理状态：当 VDS 增大到等于过驱动电压时，沟道在漏极一端被“夹断”。电子在到达夹断区时，会被强电场扫过耗尽区到达漏极。
电流特性：IDS 主要取决于 VGS，对 VDS 的变化不敏感。
电流公式：IDS ≈ (1/2) * β * (VGS - Vth)²
等效电路：一个电压控制的电流源。
应用：绝大多数模拟电路的核心工作区，如放大器、电流镜等，因为在这里晶体管可以提供稳定的、由电压控制的增益。
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